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本发明提供一种在基板上形成薄膜时，可在其整个面上得到更为均匀的薄膜厚度分布的溅射装置。溅射装置(SM)具有：真空室(1)，其中相对配置有基板(W)和靶(3)；等离子体产生装置，其在真空室内产生等离子体；以及磁铁单元(4)，其配置在靶的上方；...
该专利属于株式会社爱发科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社爱发科授权不得商用。

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