LDMOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种LDMOS器件及其制备方法中，阻挡层包括n层刻蚀停止层，相邻两层刻蚀停止层之间设置绝缘层，由于层间介质层、绝缘层的材料相同均为氧化物，且不同于刻蚀停止层的材料，因此刻蚀氧化物时可以分别停止于n层刻蚀停止层上，以在n层刻蚀停止层上分别形成n级场板孔。靠近栅极结构的第1级场板孔下端与漂移区的距离最小，靠近漏区的第n级场板孔与漂移区的距离最大，进而可以使得漂移区的前端和后端电场分布更均匀，可有效改善漂移区的电场分布，使得漂移区的前端和后端电场分布均匀，获得更高的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种LDMOS器件及其制备方法。
技术介绍
LDMOS(LateralDouble-DiffusedMOSFET，横向扩散金属氧化物半导体)是一种横向功率器件，易于与低压信号以及其他器件单片集成，且有高耐压、高增益、低失真等优点，被广泛应用于功率集成电路中。LDMOS的结构性能直接影响到功率集成电路的性能。衡量LDMOS性能的主要参数有导通电阻和击穿电压，导通电阻越小、击穿电压越大，LDMOS的性能越好。传统技术中，通常采用STI(ShallowTrenchIsolation，浅沟道隔离)技术以提高击穿电压，但专利技术人在实现传统技术的过程中发现，采用STI技术会导致导通电阻增大。因此，需要提出一种提高击穿电压的同时不影响导通电阻的LDMOS器件。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统技术中提高了击穿电压的同时也增大了导通电阻的问题，提供一种LDMOS器件及其制备方法。一种LDMOS器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有漂移区和体区，所述漂移区内设置漏区，所述体区内设置源区；/n在所述半导体衬底上沉积阻挡层，所述阻挡层包括n层刻蚀停止层，其中n为大于等于2的整数，所述刻蚀停止层层叠设置，第1层刻蚀停止层至第n层刻蚀停止层依次远离所述半导体衬底，相邻所述刻蚀停止层之间设置有绝缘层；/n形成层间介质层，并刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层以形成n级场板孔，其中，第1层刻蚀停止层上至第n层刻蚀停止层上依次对应设置第1级场板孔至第n级场板孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有漂移区和体区，所述漂移区内设置漏区，所述体区内设置源区；
在所述半导体衬底上沉积阻挡层，所述阻挡层包括n层刻蚀停止层，其中n为大于等于2的整数，所述刻蚀停止层层叠设置，第1层刻蚀停止层至第n层刻蚀停止层依次远离所述半导体衬底，相邻所述刻蚀停止层之间设置有绝缘层；
形成层间介质层，并刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层以形成n级场板孔，其中，第1层刻蚀停止层上至第n层刻蚀停止层上依次对应设置第1级场板孔至第n级场板孔。


2.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有栅极结构，从所述栅极结构到所述漏区方向，所述第1级场板孔至所述第n级场板孔的下端依次远离所述漂移区，其中，靠近所述栅极结构的第1级场板孔下端与所述漂移区的距离最小，靠近所述漏区的第n级场板孔下端与所述漂移区的距离最大。


3.根据权利要求2所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述层间介质层和所述绝缘层包括氧化物，所述刻蚀停止层包括氮化物；
所述刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层以形成n级场板孔的步骤包括：
当形成第1级场板孔至第n-1级场板孔时，先降低所述氧化物和所述氮化物的刻蚀选择比刻蚀所述层间介质层形成通孔，沿所述通孔继续刻蚀至第m层刻蚀停止层且刻穿所述第m层刻蚀停止层，调高所述氧化物和所述氮化物的刻蚀选择比刻蚀所述绝缘层，当检测到刻蚀到第m-1层刻蚀停止层，则停止刻蚀，以在第m-1层刻蚀停止层上形成第m-1级场板孔，其中，m为大于1小于等于n的整数；
当刻蚀形成第n级场板孔时，调高所述氧化物和所述氮化物的刻蚀选择比刻蚀所述层间介质层，以露出所述第n层刻蚀停止层，当检测到第n层刻蚀停止层时停止刻蚀，以使第n层刻蚀停止层上形成第n级场板孔。


4.根据权利要求3所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金华俊，孙贵鹏，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32