一种半导体器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及制备方法，包括：衬底、外延层、势垒层、钝化层、源电极、漏电极、栅电极、跨栅场板和空气层；所述衬底、所述外延层、所述势垒层自底向上依次设置；所述源电极、所述漏电极和所述栅电极位于所述势垒层上，所述钝化层覆盖所述势垒层上所述源电极、所述漏电极和所述栅电极之间的区域；所述跨栅场板没入所述钝化层且横跨所述栅电极，以提高所述半导体器件的击穿电压。本发明专利技术公开的半导体器件，在提高器件击穿电压的同时可以保证较小的寄生电容。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及制备方法。
技术介绍
击穿电压是半导体器件的一项重要的性能指标，通常需要通过器件结构的设计，来优化电场的分布，从而提高器件击穿电压。场板技术是常用的电场优化技术之一，场板通过调制优化耗尽区电场分布，拓展耗尽区宽度，来缓解原有的电场峰值并引入新的电场峰值。目前所采用的场板主要有源场板、栅场板、漏场板及浮空场板等，但是，这些场板技术在提高器件击穿电压的同时均增加了器件的寄生电容，而寄生电容的增加，会严重影响器件的频率特性，这对于高频率大功率器件的实现是不利的。
技术实现思路
鉴于上述问题，本申请提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种半导体器件及其制备方法。第一方面，提供一种半导体器件，包括：衬底、外延层、势垒层、钝化层、源电极、漏电极、栅电极、跨栅场板和空气层；所述衬底、所述外延层、所述势垒层自底向上依次设置；所述源电极、所述漏电极和所述栅电极位于所述势垒层上，所述钝化层覆盖所述势垒层上所述源电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底、外延层、势垒层、钝化层、源电极、漏电极、栅电极、跨栅场板和空气层；/n所述衬底、所述外延层、所述势垒层自底向上依次设置；/n所述源电极、所述漏电极和所述栅电极位于所述势垒层上，所述钝化层覆盖所述势垒层上所述源电极、所述漏电极和所述栅电极之间的区域；/n所述跨栅场板没入所述钝化层且横跨所述栅电极，以提高所述半导体器件的击穿电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底、外延层、势垒层、钝化层、源电极、漏电极、栅电极、跨栅场板和空气层；
所述衬底、所述外延层、所述势垒层自底向上依次设置；
所述源电极、所述漏电极和所述栅电极位于所述势垒层上，所述钝化层覆盖所述势垒层上所述源电极、所述漏电极和所述栅电极之间的区域；
所述跨栅场板没入所述钝化层且横跨所述栅电极，以提高所述半导体器件的击穿电压。


2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述跨栅场板包括相互连接的第一场板部、第二场板部和第三场板部；
其中，所述第一场板部和所述第三场板部分别位于所述栅电极两侧且距离所述栅电极分别有第一预设距离和第二预设距离，所述第二场板位于所述栅电极上侧且距离所述栅电极有第三预设距离。


3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一场板部与所述第三场板部分别位于所述栅电极两侧且平行于所述栅电极。


4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二场板部与所述第一场板部以及与所述第三场板部的连接处形成夹角或者形成弧度。


5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述空气层位于所述跨栅场板与所述栅电极之间。


6.如权利要求1～5任一所述的半导体器件，其特征在于，所述栅电极两侧的所述钝化层上分别具有凹槽，所述跨栅场板的所述第一场板部和所述第三场板部分别没入所述凹槽且所述第一场板部和所述第三场场板部的高度均大于所述凹槽的深度。


7.如权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜泽浩，魏珂，陈晓娟，张昇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11