【技术实现步骤摘要】
相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片
本技术涉及TVS芯片领域，特别涉及一种相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片。
技术介绍
TVS(TransientVoltageSuppressor，瞬态电压抑制器)管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。TVS管由于它具有响应时间快、瞬态功率大、电容低、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、体积小、易于安装等优点，目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、消费类电子、电源、家用电器等各个领域。现有的TVS器件在应对双向双路且需要相同保护电压值的不同功率保护电路时，需要两颗不同功率的双向TVS器件，成本高，浪费线路板资源。故需要提供一种相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片来解决上述技术问题。
技术实现思路
本技术提供一种相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片...
【技术保护点】
1.一种相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，包括：/nN型衬底；/n第一P型杂质，设置在所述N型衬底一端，所述第一P型杂质外侧被N型衬底包裹，第一P型杂质一端露出N型衬底，另一端沉入N型衬底中；/n第二P型杂质，与所述第一P型杂质并列设置在所述N型衬底一端，且与第一P型杂质之间存在间隙，所述第二P型杂质外侧被N型衬底包裹，第二P型杂质一端露出N型衬底，另一端沉入N型衬底中；/n第一表面结构，设置在所述N型衬底一端，与所述第一P型杂质在同一侧，用于芯片封装焊接；/n第三P型杂质，设置在所述N型衬底远离所述第一P型杂质的一端，所述第三P型杂质外侧被N型衬底...
【技术特征摘要】
1.一种相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，包括：
N型衬底；
第一P型杂质，设置在所述N型衬底一端，所述第一P型杂质外侧被N型衬底包裹，第一P型杂质一端露出N型衬底，另一端沉入N型衬底中；
第二P型杂质，与所述第一P型杂质并列设置在所述N型衬底一端，且与第一P型杂质之间存在间隙，所述第二P型杂质外侧被N型衬底包裹，第二P型杂质一端露出N型衬底，另一端沉入N型衬底中；
第一表面结构，设置在所述N型衬底一端，与所述第一P型杂质在同一侧，用于芯片封装焊接；
第三P型杂质，设置在所述N型衬底远离所述第一P型杂质的一端，所述第三P型杂质外侧被N型衬底包裹，第三P型杂质一端露出N型衬底，另一端沉入N型衬底中；
第二表面结构，设置在所述N型衬底远离所述第一P型杂质的一端，用于芯片封装焊接；
其中所述第二P型杂质比第一P型杂质的横截面面积大。
2.根据权利要求1所述的相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其特征在于，所述第一表面结构包括：
第一钝化层，设置在所述N型衬底一端，与所述第一P型杂质在同一侧，所述第一钝化层接触N型衬底、第一P型杂质和第二P型杂质，用于保护第一P型杂质、第二P型杂质和N型衬底所形成的PN结，中部设置有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔靠近第一P型杂质，用于露出第一P型杂质，所述第二通孔靠近第二P型杂质，用于露出第二P型杂质；
第一金属电极，覆盖在所述第一钝化层表面，覆盖在所述第一P型杂质表面，包括第一接电极和第一连接部，所述第一连接部凸出所述第一接电极连接在第一通孔内，第一连接部接触所述第一P型杂质，所述第一金属电极与N型衬底之间通过第一钝化层隔离；
第二金属电极，覆盖在所述第一钝化层表面，覆盖在所述第二P型杂质表面，包括第二接电极和第二连接部，所述第二连接部凸出所述第二接电极连接在第二通孔内，第二连接部接触所述第二P型杂质，所述第二金属电极与N型衬底之间通过第一钝化层隔离。
3.根据权利要求2所述的相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宗贺，吴沛东，马海军，李长林，吴宏达，
申请(专利权)人：深圳长晶微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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