非对称台面的双向TVS器件制造技术

本技术公开了一种非对称台面的双向TVS器件，包括基板、分别设于基板上表面和下表面的第一掺杂层和第二掺杂层、设于第一掺杂层上的第一电极及设于第二掺杂层上的第二电极，在基板的上部形成第一沟槽，在基板的下部边缘形成第二沟槽，第一沟槽的上表面设有第一钝化层，第二沟槽的下表面设有第二钝化层。第一沟槽的截面呈“U”型，其一侧靠近基板边缘，其另一侧延伸至第一掺杂层的边缘；第二沟槽的截面呈“C”型，其远离基板边缘的一侧延伸至第二掺杂层的边缘。本技术中非对称的第一沟槽和第二沟槽结构，不仅具有良好的体内阻断能力，还可保证第一PN结和第二PN结的耐压一致性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件，具体涉及一种非对称台面的双向tvs器件。

技术介绍

1、瞬态电压抑制器（tvs）是一种用于保护电路的电子元件，它的主要作用是在电路中出现瞬态电压过高时，将过高的电压引导到地线或电源线上，以保护电路中的其他元件不受损坏。然而，现有的tvs器件保护能力不够稳定，存在漏电风险。另一方面，在后续裂片操作时，现有的tvs器件由于边缘阻断能力低于体内阻断能力而易导致击穿电压偏差及高泄露电流问题。因此，如何提供一种保护能力好，且性能可靠的tvs器件就成为一种客观需求。

技术实现思路

1、本技术提供了一种非对称台面的双向tvs器件，用于解决现有的现有tvs器件保护功能差、性能不稳定等问题。

2、本技术还提供了一种非对称台面的双向tvs器件的制作方法。

3、为实现本技术的目的，本技术提供了一种非对称台面的双向tvs器件，其中该器件包括基板、分别设于所述基板上表面和下表面的第一掺杂层和第二掺杂层、设于所述第一掺杂层上表面的第一电极及设于所述第二掺杂层下表面的第二电极，在所述基板的上部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种非对称台面的双向TVS器件，其特征在于，该器件包括基板、分别设于所述基板上表面和下表面的第一掺杂层和第二掺杂层、设于所述第一掺杂层上表面的第一电极及设于所述第二掺杂层下表面的第二电极，在所述基板的上部形成两个第一沟槽，且两个所述第一沟槽分别设于所述基板上部两端；在所述基板的下部边缘形成两个第二沟槽，且两个所述第二沟槽分别设于所述基板下部两端边缘；

2.如权利要求1所述的非对称台面的双向TVS器件，其特征在于，所述基板与第一掺杂层和第二掺杂层形成PNP型结构或NPN型结构，所述第一掺杂层与基板之间形成第一PN结，所述第二掺杂层与基板之间形成第二PN结。

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【技术特征摘要】

1.一种非对称台面的双向tvs器件，其特征在于，该器件包括基板、分别设于所述基板上表面和下表面的第一掺杂层和第二掺杂层、设于所述第一掺杂层上表面的第一电极及设于所述第二掺杂层下表面的第二电极，在所述基板的上部形成两个第一沟槽，且两个所述第一沟槽分别设于所述基板上部两端；在所述基板的下部边缘形成两个第二沟槽，且两个所述第二沟槽分别设于所述基板下部两端边缘；

2.如权利要求1所述的非对称台面的双向tvs器件，其特征在于，所述基板与第一掺杂层和第二掺杂层形成pnp型结构或npn型结构，所述第一掺杂层与基板之间形成第一pn结，所述第二掺杂层与基板之间形成第二pn结。

3.如权利要求2所述的非对称台面的双向tvs器件，其特征在于，所述基板的厚度为250～350微米，所述第一掺杂层的厚度为15～20微米，所述第二掺杂层的厚度为15～20微米，所述第一沟槽的槽深为60～80微米，所述第二沟槽的槽深为60～80微米。

4.如权利要求3所述的非对称台面的双向tvs器件，其特征在于，所述第一pn结与第一沟槽的连接部为斜面终端结构，其斜面的角度α1为80～88°。

5.如权利要求3所述的非对称台面的双向tvs器件，其特征在于，所述第二pn结与第二沟槽的连接部为斜面终端结构，其斜面的角度α2为80～88°。

6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雄标，刘宗贺，吴沛冬，郭佳秋，姚秀珍，刘志强，李长林，李柏燎，马海军，
申请(专利权)人：深圳长晶微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：