高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管制造技术

本技术提供一种高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其包括玻璃管、第一杜镁线、第二杜镁线、惰性气体、氧化铝陶瓷棒、碳粉环。第一杜镁线连接于玻璃管的一端，第二杜镁线连接于玻璃管的另一端。第二杜镁线与第一杜镁线之间形成一容置腔，惰性气体设置于容置腔的内部。多个氧化铝陶瓷棒位于所述容置腔的内部，氧化铝陶瓷棒的一端与第一杜镁线连接，氧化铝陶瓷棒的另一端与第二杜镁线连接。碳粉环设置于氧化铝陶瓷棒的内部，碳粉环与第一杜镁线之间设置有第一间距，碳粉环与第二杜镁线之间设置有第二间距。第一间距的长度为0.25mm‑0.35mm，第二间距的长度为0.25mm‑0.35mm。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元件，特别涉及一种高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管。

技术介绍

1、在现代社会中，放电管在电子电路领域应用较为广泛。其中，现有的放电管主要由电极、玻璃壳和硅芯片组成。但是，该硅芯片的体积较大，因此硅芯片的设置会减少放电管的内部空间，从而导致现有放电管的抗雷击能力较低。

2、故需要提供一种高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管来解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本技术提供一种高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，有效解决了现有放电管的抗雷击能力较低的技术问题。

2、本技术提供一种高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其包括：

3、玻璃管；

4、第一杜镁线，连接于所述玻璃管的一端；

5、第二杜镁线，相对于所述第一杜镁线，连接于所述玻璃管的另一端，所述第二杜镁线与所述第一杜镁线之间形成一容置腔；

6、惰性气体，设置于所述容置腔的内部；

7、多个氧化铝陶瓷棒，位于所述容置腔的内部，所述氧化铝陶瓷棒的一端与所述第一杜镁线连接，所述氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其特征在于，其包括：

2.根据权利要求1所述的高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其特征在于，所述第一杜镁线的一端设置有第一凹槽，所述第二杜镁线的一端设置有第二凹槽，所述氧化铝陶瓷棒的一端与所述第一凹槽卡接，所述氧化铝陶瓷棒的另一端与所述第二凹槽卡接。

3.根据权利要求1所述的高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其特征在于，所述氧化铝陶瓷棒的长度为4.15mm-4.25mm，所述氧化铝陶瓷棒的直径为0.48mm-0.52mm。

4.根据权利要求1所述的高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其特征在于，所述碳粉环的长度为...

【技术特征摘要】

1.一种高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其特征在于，其包括：

2.根据权利要求1所述的高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其特征在于，所述第一杜镁线的一端设置有第一凹槽，所述第二杜镁线的一端设置有第二凹槽，所述氧化铝陶瓷棒的一端与所述第一凹槽卡接，所述氧化铝陶瓷棒的另一端与所述第二凹槽卡接。

3.根据权利要求1所述的高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其特征在于，所述氧化铝陶瓷棒的长度为4.15mm-4.25mm，所述氧化铝陶瓷棒的直径为0.48mm-0.52mm。

4.根据权利要求1所述的高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其特征在于，所述碳粉环的长度为3.15mm-3.25mm。

5.根据权利要求1所述的高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其特征在于，所述氧化铝陶瓷棒的数目为4-6个。

6.根据权利要求1所述的高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其特征在于，所述第一杜镁线和所述第二杜镁线的形状均呈t型，所述第一杜镁线和所述第二杜镁线之间的放电间隙是3.7mm-3.9mm。

7.根据权利要求1所述的高浪涌低钳位电压的玻璃气体放电管，其特征在于，所述玻璃管...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雄标，刘宗贺，吴沛冬，郭佳秋，姚秀珍，刘志强，李长林，李柏燎，马海军，
申请(专利权)人：深圳长晶微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：