一种SiC异质结晶体管外延结构及器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种SiC异质结晶体管外延结构及器件，所述SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括C面4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、N型3C‑SiC外延层；该结构中3C‑SiC与4H‑SiC形成的异质结具有可忽略的热匹配和晶格匹配，3C‑SiC和4H‑SiC在<0001>面的晶格失配小于0.1％，具有更好的界面结构，其器件具有更好的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC异质结晶体管外延结构及器件
本技术属于半导体
，具体涉及一种SiC异质结晶体管外延结构及器件。
技术介绍
目前全球95％以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，主要应用在微电子产业。不过，随着电动车、5G等新应用兴起，推动高频、高功率元件需求，基于硅材料的功率半导体的性能已经接近其物理极限，无法满足当今社会中对能源高效转换的要求，要进一步提高电力电子器件的性能则需诉诸于综合性能更优越的第三代半导体。氮化镓GaN(galliumnitride)作为第三代半导体材料的代表之一，具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度大等优点，在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高和导通电阻低等优点，可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统。尤其Al-GaN/GaN形成的异质结能够自发产生高浓度和高电子迁移率二维电子气2DEG，基于异质结的器件可以有效提升品质因子。传统AlGaN/GaN形成的异质结，利用AlGaN势垒层中的压电极化和自发极化形成2DEG。其中压电极化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC异质结晶体管外延结构，其特征在于，所述SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括C面4H-SiC衬底、4H-SiC外延层、N型3C-SiC外延层；/n所述C面4H-SiC衬底和4H-SiC外延层之间还包括P型4H-SiC缓冲层、和/或P型4H-SiC外延层。/n

【技术特征摘要】
1.一种SiC异质结晶体管外延结构，其特征在于，所述SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括C面4H-SiC衬底、4H-SiC外延层、N型3C-SiC外延层；
所述C面4H-SiC衬底和4H-SiC外延层之间还包括P型4H-SiC缓冲层、和/或P型4H-SiC外延层。


2.根据权利要求1所述的SiC异质结晶体管外延结构，其特征在于，所述P型4H-SiC缓冲层位于P型4H-SiC外延层的下面。


3.根据权利要求1所述的SiC异质结晶体管外延结构，其特征在于，所述P型4H-SiC缓冲层的厚度为20～200nm。


4.根据权利要求1所述的SiC异质结晶体管外延结构，其特征在于，所述P型...

【专利技术属性】
技术研发人员：钮应喜，左万胜，刘洋，张晓洪，刘锦锦，袁松，胡新星，史田超，史文华，钟敏，郗修臻，
申请(专利权)人：芜湖启迪半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34