一种具有优良开关特性的二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有优良开关特性的二极管，涉及电力电子技术领域，包括二极管单体，所述二极管单体的内部包括有二氧化硅、P型硅、N型硅和金锑合金，所述二极管单体的左端固定连接有正极引线，所述正极引线的右端固定连接有P型硅，所述P型硅的左端固定连接有二氧化硅，通过设置的二极管单体的内部设置有金锑合金，利用金元素很容易捕获电子，同时与空穴复合而消失，从而加快二极管的开关速度，通过二极管单体为平面型二极管，在半导体单晶片上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结，使得该二极管不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，以达到具有优良开关特性的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种具有优良开关特性的二极管
本技术涉及电力电子
，具体为一种具有优良开关特性的二极管。
技术介绍
晶体二极管习惯上称作二极管，是一种常用的半导体器件，它的内部是由P型和N型两种半导体组成的一个PN结，主要特性是“单向导电性”，即电流只能从二极版管的正极流入，负极流出。一般用于整流、检波、限幅等电路，开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间，而二极管需要优良的开关特性才能够用于开关电路，作开关二极管使用。传统的二极管由于制作工艺简单，反向恢回复时间较长，不具备优良的开关特性，且二极管单体在工作时会散发出热量，热量的累计会影响热二极管的使用寿命及性能。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种具有优良开关特性的二极管，具备优良的开关特性，散热效果好的优点，解决了不具备优良的开关特性，二极管单体在工作时会散发出热量的问题。本技术为解决上述技术问题，提供如下技术方案：一种具有优良开关特性的二极管，包括二极管单体，所述二极管单体的内部包括有二氧化硅、P型硅、N型硅和金锑合金，所述二极管单体的左端固定连接有正极引线，所述正极引线的右端固定连接有P型硅，所述P型硅的左端固定连接有二氧化硅，所述二氧化硅的内壁与正极引线的外壁固定连接，所述P型硅的右端固定连接有N型硅，所述N型硅的右端固定连接有金锑合金，所述金锑合金的右端固定连接有负极引线，所述二极管单体的外部固定连接有绝缘层，所述绝缘层的内壁与二极管单体的内壁固定连接，所述绝缘层的外壁固定连接有导热片，所述导热片的内壁与绝缘层的外壁固定连接，所述导热片的外壁固定安装有若干散热板，所述散热板为竖直放置，所述散热板的内壁与导热片的外壁固定连接。进一步的，所述负极引线通过设置的金锑合金与N型硅电性连接。通过采用上述技术方案，金锑合金内部的金离子能够更快地捕捉电子。进一步的，所述散热板的材质为石墨。通过采用上述技术方案，石墨的导热效果好，而且质地较轻。进一步的，所述导热片的材质为纯铜。通过采用上述技术方案，纯铜的导热性能是仅次于银的金属。进一步的，所述绝缘层的材质为橡胶。通过采用上述技术方案，能够将内部与外部隔离开，能使导热正常进行。进一步的，所述二极管单体为平面型二极管。通过采用上述技术方案，能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。与现有技术相比，该具有优良开关特性的二极管具备如下有益效果：1、本技术通过设置的二极管单体的内部设置有金锑合金，利用金元素很容易捕获电子，同时与空穴复合而消失，从而加快二极管的开关速度，其次，通过二极管单体为平面型二极管，在半导体单晶片上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结，使得该二极管不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，以达到具有优良开关特性的效果。2、本技术通过设置的导热片为铜片，铜片的导热性能时仅次于银的金属，能够快速的将二极管工作时的热量传导出去，再通过石墨薄片散热板增大与空气的接触面积，且石墨薄面质轻，散热快，能够对该二极管进行持续且快速地散热，以达到散热性能好的效果。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术结构剖视图。图中：1、正极引线；2、二极管单体；3、散热板；4、负极引线；5、二氧化硅；6、P型硅；7、N型硅；8、金锑合金；9、导热片；10、绝缘层。具体实施方式下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-2，本技术提供一种技术方案：一种具有优良开关特性的二极管，包括二极管单体2，二极管单体2为平面型二极管，能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中，二极管单体2的内部包括有二氧化硅5、P型硅6、N型硅7和金锑合金8，二极管单体2的左端固定连接有正极引线1，正极引线1的右端固定连接有P型硅6，P型硅6的左端固定连接有二氧化硅5，二氧化硅5的内壁与正极引线1的外壁固定连接，P型硅6的右端固定连接有N型硅7，N型硅7的右端固定连接有金锑合金8，金锑合金8的右端固定连接有负极引线4，负极引线4通过设置的金锑合金8与N型硅7电性连接，金锑合金8内部的金离子能够更快地捕捉电子，通过设置的二极管单体2的内部设置有金锑合金8，利用金元素很容易捕获电子，同时与空穴复合而消失，从而加快二极管的开关速度，其次，通过二极管单体2为平面型二极管，在半导体单晶片上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅7单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结，使得该二极管不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，以达到具有优良开关特性的效果。其中，二极管单体2的外部固定连接有绝缘层10，绝缘层10的内壁与二极管单体2的内壁固定连接，绝缘层10的材质为橡胶，能够将内部与外部隔离开，能使导热正常进行，绝缘层10的外壁固定连接有导热片9，导热片9的内壁与绝缘层10的外壁固定连接，导热片9的外壁固定安装有若干散热板3，散热板3的材质为石墨，石墨的导热效果好，而且质地较轻，散热板3为竖直放置，散热板3的内壁与导热片9的外壁固定连接，导热片9的材质为纯铜，纯铜的导热性能是仅次于银的金属，通过设置的导热片9为铜片，铜片的导热性能时仅次于银的金属，能够快速的将二极管工作时的热量传导出去，再通过石墨薄片散热板3增大与空气的接触面积，且石墨薄面质轻，散热快，能够对该二极管进行持续且快速地散热，以达到散热性能好的效果。使用时，通过设置的二极管单体2的内部设置有金锑合金8，利用金元素很容易捕获电子，同时与空穴复合而消失，从而加快二极管的开关速度，其次，通过二极管单体2为平面型二极管，在半导体单晶片上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅7单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结，使得该二极管不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，以达到具有优良开关特性的效果，通过设置的导热片9为铜片，铜片的导热性能时仅次于银的金属，能够快速的将二极管工作时的热量传导出去，再通过石墨薄片散热板3增大与空气的接触面积，且石墨薄面质轻，散热快，能够对该二极管进行持续且快速地散热，以达到散热性能好的效果。需要说明的是，在本文中，诸如术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个引用结构”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有优良开关特性的二极管，包括二极管单体（2），其特征在于：所述二极管单体（2）的内部包括有二氧化硅（5）、P型硅（6）、N型硅（7）和金锑合金（8），所述二极管单体（2）的左端固定连接有正极引线（1），所述正极引线（1）的右端固定连接有P型硅（6），所述P型硅（6）的左端固定连接有二氧化硅（5），所述二氧化硅（5）的内壁与正极引线（1）的外壁固定连接，所述P型硅（6）的右端固定连接有N型硅（7），所述N型硅（7）的右端固定连接有金锑合金（8），所述金锑合金（8）的右端固定连接有负极引线（4），所述二极管单体（2）的外部固定连接有绝缘层（10），所述绝缘层（10）的内壁与二极管单体（2）的内壁固定连接，所述绝缘层（10）的外壁固定连接有导热片（9），所述导热片（9）的内壁与绝缘层（10）的外壁固定连接，所述导热片（9）的外壁固定安装有若干散热板（3），所述散热板（3）为竖直放置，所述散热板（3）的内壁与导热片（9）的外壁固定连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有优良开关特性的二极管，包括二极管单体（2），其特征在于：所述二极管单体（2）的内部包括有二氧化硅（5）、P型硅（6）、N型硅（7）和金锑合金（8），所述二极管单体（2）的左端固定连接有正极引线（1），所述正极引线（1）的右端固定连接有P型硅（6），所述P型硅（6）的左端固定连接有二氧化硅（5），所述二氧化硅（5）的内壁与正极引线（1）的外壁固定连接，所述P型硅（6）的右端固定连接有N型硅（7），所述N型硅（7）的右端固定连接有金锑合金（8），所述金锑合金（8）的右端固定连接有负极引线（4），所述二极管单体（2）的外部固定连接有绝缘层（10），所述绝缘层（10）的内壁与二极管单体（2）的内壁固定连接，所述绝缘层（10）的外壁固定连接有导热片（9），所述导热片（9）的内壁与绝缘层（10）的外壁固定连接，所述导热片（9）的外壁固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈素平，
申请(专利权)人：泉州辉腾服装有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35