一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，在半导体衬底上的N型轻掺杂漂移区，在N型轻掺杂漂移区上的P型阱区和N型重掺杂缓冲区，在P型阱区上的N型轻掺杂区，在N型轻掺杂区上的N型重掺杂区，在远离栅结构的N型重掺杂区一侧的P型重掺杂区，该N型重掺杂区和P型重掺杂区彼此相连构成重掺杂发射区，在N型重掺杂缓冲区上的P型重掺杂集电极区，在N型轻掺杂漂移区上的栅结构区，该栅结构区为槽栅型结构，且采用多晶硅材料和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂发射区上的发射极，P型重掺杂集电极区上的集电极，栅结构区上的栅极。该器件通过平面型设计，结合槽栅型NMOS和PNP晶体管实现平面型的槽栅IGBT器件。

【技术实现步骤摘要】
一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件
本技术涉及半导体功率
，具体涉及一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管IGBT是一种MOSFET和双极型晶体管复合的新型电力电子器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管。该IGBT既有MOSFET驱动简单和快速的优点，又有功率晶体管容量大的优点，因而广泛应用在能源转换、机车牵引、工业变频、汽车电子和消费电子等领域，是电力电子领域重要核心器件之一。传统的横向IGBT功率器件广泛采用绝缘层上硅(SOI)技术，在半导体衬底上形成一层绝缘层，在绝缘层上表面形成N型轻掺杂漂移层，以减小寄生电容；且传统的横向IGBT功率器件的NMOS结构，会产生较大的沟道比导通电阻。而槽栅型MOS会有更小的导通电阻，元胞尺寸更小，被广泛应用于开关电子元器件中。因此为了实现IGBT功率器件更好的集成和减小栅驱动功率和降低沟道比导通电阻，本技术设计一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件。
技术实现思路
本技术为一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，采用槽栅型NMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，其特征在于，包括：半导体衬底(1)，在半导体衬底(1)上表面的N型轻掺杂漂移区(2)，在N型轻掺杂漂移区(2)上的P型阱区(3)和N型重掺杂缓冲区(7)，在P型阱区(3)上的N型轻掺杂区(4)，在N型轻掺杂区(4)上的N型重掺杂区(6)，在远离栅结构区的绝缘区(9)的N型重掺杂区(6)一侧的P型重掺杂区(5)，该N型重掺杂区(6)和P型重掺杂区(5)彼此相连构成重掺杂发射区，在N型重掺杂缓冲区(7)上的P型重掺杂集电极区(8)，在N型轻掺杂漂移区(2)上的栅结构区的绝缘区(9)和栅结构区的栅结构(10)，该栅结构区采用槽栅型结构，N型/P型重掺杂发射...

【技术特征摘要】
1.一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，其特征在于，包括：半导体衬底(1)，在半导体衬底(1)上表面的N型轻掺杂漂移区(2)，在N型轻掺杂漂移区(2)上的P型阱区(3)和N型重掺杂缓冲区(7)，在P型阱区(3)上的N型轻掺杂区(4)，在N型轻掺杂区(4)上的N型重掺杂区(6)，在远离栅结构区的绝缘区(9)的N型重掺杂区(6)一侧的P型重掺杂区(5)，该N型重掺杂区(6)和P型重掺杂区(5)彼此相连构成重掺杂发射区，在N型重掺杂缓冲区(7)上的P型重掺杂集电极区(8)，在N型轻掺杂漂移区(2)上的栅结构区的绝缘区(9)和栅结构区的栅结构(10)，该栅结构区采用槽栅型结构，N型/P型重掺杂发射区上的发射极，P型重掺杂集电极区(8)上的集电极，栅结构区的栅结构(10)上的栅极。


2.根据权利要求1所述的一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，其特征在于，在N型重掺杂缓冲区(7)上的P型重掺杂集电极区(8)的面积比发射极区的P...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈利，陈译，陈彬，
申请(专利权)人：厦门芯一代集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35