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本实用新型公开了一种平面型的槽栅IGBT半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，在半导体衬底上的N型轻掺杂漂移区，在N型轻掺杂漂移区上的P型阱区和N型重掺杂缓冲区，在P型阱区上的N型轻掺杂区，在N型轻掺杂区上的N型重掺杂区，在远离栅结构的N...
该专利属于厦门芯一代集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门芯一代集成电路有限公司授权不得商用。

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