【技术实现步骤摘要】
一种带有槽型JFET的碳化硅MOS器件
本技术属于半导体
,具体涉及带有槽型JFET的碳化硅MOS器件。
技术介绍
碳化硅(SiC)制作的MOS场效应晶体管功率器件比Si器件能够承受更高的电压和更快的开关速度。由于碳化硅常用于高压场合,所以其外延层掺杂浓度比较低,使得MOSFET中的JFET电阻占总导通电阻比例较大,增加了MOS器件的导通电阻和导通损耗。不仅如此,由于碳化硅MOS制作成本高,沟道定义难度大,因此如何在减少光刻次数的条件下,获得更窄的沟道成为现阶段碳化硅MOS器件量产的难点。由于碳化硅MOS器件有较低的沟道迁移率,往往需要将其元胞的尺寸缩小,通过加大沟道密度的方式来降低器件在导通状态下的沟道电阻的比重。但是缩小元胞尺寸的同时,也在增大器件JFET区域的导通电阻比重。同时,较高的沟道密度也使器件具有较高的饱和电流,导致器件的短路特性较差。因此若能够有效降低发生短路时的饱和电流,则可以提高器件的耐短路能力。
技术实现思路
鉴于以上存在的技术问题,本技术用于提供一种带有槽型JFET的碳化硅MOS器件,在有源区加入电流加强注入区,减小由于外延掺杂浓度过低而导致的JFET电阻过大的问题。为解决上述技术问题,本技术采用如下的技术方案:本技术实施例提供了一种带有槽型JFET的碳化硅MOS器件,包括:碳化硅衬底,所述碳化硅衬底材料的掺杂类型为第一导电类型;在碳化硅衬底的正面和背面分别设有第一导电类型半导体外延层和漏极;在第一导电类型半导体外延层的有源 ...
【技术保护点】
1.一种带有槽型JFET的碳化硅MOS器件,其特征在于,包括:/n碳化硅衬底(001),所述碳化硅衬底(001)材料的掺杂类型为第一导电类型;/n在碳化硅衬底(001)的正面和背面分别设有第一导电类型半导体外延层(002)和漏极(003);/n在第一导电类型半导体外延层(002)的有源区上设有第一导电类型JFET区(009),第一导电类型JFET区(009)上设有第一表面、第二表面和第三表面,其中第一表面和第二表面从外到里分别设有第一导电类型源区(004)和第二导电类型基区(005);第一表面上方设有源极(006),第三表面上方设有栅介质(007)和栅极(008),第二导电类型基区(005)和源极(006)之间设置有第二导电类型注入体区(010),源极(006)和栅极(008)之间设置有极间隔离介质(011)。/n
【技术特征摘要】
1.一种带有槽型JFET的碳化硅MOS器件,其特征在于,包括:
碳化硅衬底(001),所述碳化硅衬底(001)材料的掺杂类型为第一导电类型;
在碳化硅衬底(001)的正面和背面分别设有第一导电类型半导体外延层(002)和漏极(003);
在第一导电类型半导体外延层(002)的有源区上设有第一导电类型JFET区(009),第一导电类型JFET区(009)上设有第一表面、第二表面和第三表面,其中第一表面和第二表面从外到里分别设有第一导电类型源区(004)和第二导电类型基区(005)...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈欣璐,黄兴,陈然,
申请(专利权)人:派恩杰半导体杭州有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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