CIS器件中超深光电二极管的制作方法、CIS器件技术

本申请公开了一种CIS器件中超深光电二极管的制作方法、CIS器件，涉及半导体制造领域。该方法包括在硅衬底上形成垫氧化层；在硅衬底中形成初始P型区和初始N型区；去除硅衬底表面的垫氧化层；在硅衬底表面生长硅外延层，并在硅外延层中形成m组P型区和m组N型区，每组P型区分别与初始P型区对应，每组N型区分别与初始N型区对应，m为大于等于1的整数；硅衬底和硅外延层中的P型区和N型区构成光电二极管，光电二极管的深度大于等于3μm；解决了光电二极管的深度受工艺参数限制的问题；达到了增加CIS光电二极管的深度，提升小型化CIS器件光收集能力的效果。

【技术实现步骤摘要】
CIS器件中超深光电二极管的制作方法、CIS器件
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种CIS器件中超深光电二极管的制作方法、CIS器件。
技术介绍
COMS图像传感器(CMOSImageSensor，CIS)中，核心的器件是一个缓变结光电二极管，缓变结形成的空间电场体积越大，光电二极管收集光子的能力就越强。但是，随着对器件小型化和低功耗的要求越来越高，CIS中光电二极管的面积不断被压缩，为了提高更小面积的光电二极管的光子收集能力，光电二极管的制作向纵向发展，即光电二极管的深度增加。此外，对于波长较长的红光，尤其是近红外光，硅的吸收系数较低，也需要超深的光电二极管，通常深度在2μm以上。传统CIS中光电二极管是用光刻胶作为掩膜层，再通过离子注入的方式形成，但现有光刻胶的深宽比达到20：1已经是极限了。
技术实现思路
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种CIS器件中超深光电二极管的制作方法、CIS器件。该技术方案如下：第一方面，本申请实施例提供了一种CIS器件中超深光电二极管的制作方法，该方法包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CIS器件中超深光电二极管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：/n在硅衬底上形成垫氧化层；/n在所述硅衬底中形成初始P型区和初始N型区，所述初始P型区和初始N型区交替排列；/n去除所述硅衬底表面的垫氧化层；/n在所述硅衬底表面生长硅外延层，并在所述硅外延层中形成m组P型区和m组N型区，每组P型区分别与所述初始P型区对应，每组N型区分别与所述初始N型区对应，m为大于等于1的整数；/n所述硅衬底和所述硅外延层中的P型区和N型区构成光电二极管，所述光电二极管的深度大于等于3μm。/n

【技术特征摘要】
1.一种CIS器件中超深光电二极管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在硅衬底上形成垫氧化层；
在所述硅衬底中形成初始P型区和初始N型区，所述初始P型区和初始N型区交替排列；
去除所述硅衬底表面的垫氧化层；
在所述硅衬底表面生长硅外延层，并在所述硅外延层中形成m组P型区和m组N型区，每组P型区分别与所述初始P型区对应，每组N型区分别与所述初始N型区对应，m为大于等于1的整数；
所述硅衬底和所述硅外延层中的P型区和N型区构成光电二极管，所述光电二极管的深度大于等于3μm。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述硅衬底表面生长硅外延层，并在所述硅外延层中形成m组P型区和m组N型区，包括：
根据光电二极管的深度需求，进行m次光电二极管加深工艺；所述光电二极管加深工艺包括硅外延层生长及在硅外延层中形成1组P型区和1组N型区；
每次形成的1组N型区与所述初始N型区对应，每次形成的1组P型区与所述初始P型区对应。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光电二极管加深...

【专利技术属性】
技术研发人员：范晓，陈广龙，王函，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32