半导体装置和设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置和设备。半导体装置包括彼此堆叠的第一和第二半导体部件。第一部件包括第一绝缘层和多个第一金属焊盘。第二部件包括第二绝缘层和多个第二金属焊盘。多个第一金属焊盘中的各个和多个第二金属焊盘中的各个彼此接合以形成多个接合部中的各个。沿半导体装置的边缘并穿过第一绝缘层和第二绝缘层之间的接合面的第一开口和第二开口形成在半导体装置中。多个接合部的第一开口和第二开口之间的第一接合部布置在不同的位置。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和设备
本公开涉及一种半导体装置和设备。
技术介绍
日本特开第2017-120939号公报描述了通过堆叠各自包括元件和布线结构的两个半导体部件而形成具有三维结构的半导体装置。在该半导体装置中，在两个半导体部件的各接合面中形成有电极，并且通过使电极接合而使两个半导体部件的元件电连接。可以使用公知为镶嵌方法(damascenemethod)的布线形成技术来形成半导体部件的接合面中的金属焊盘。例如，通过在形成半导体部件的接合面的绝缘层中形成凹槽，从凹槽上方进行镀铜，并使用CMP(化学机械抛光)去除凹槽中的铜以外的铜，来形成金属焊盘。当通过CMP抛光其中形成有不均匀密度的金属焊盘的面时，可能过度抛光高密度部分。结果，半导体部件的接合面可能没有被平坦化，并且当两个半导体部件堆叠时，在它们两者之间可能产生内部空间。在堆叠之后，当对半导体部件进行切割或在半导体部件中形成开口时，如果内部空间与外部连通，则大气中的水或异物可能会进入内部空间，金属焊盘则可能会被腐蚀。
技术实现思路
本公开的一些方面提供了一种抑制由彼此堆叠的两本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n第一半导体部件，其包括第一绝缘层和嵌入到配设在第一绝缘层中的凹部中的多个第一金属焊盘；以及/n第二半导体部件，其包括第二绝缘层和嵌入到配设在第二绝缘层中的凹部中的多个第二金属焊盘，/n其中，第一半导体部件和第二半导体部件彼此堆叠，使得第一绝缘层和第二绝缘层彼此接合，/n所述多个第一金属焊盘中的各个和所述多个第二金属焊盘中的各个彼此接合以形成多个接合部中的各个，/n在半导体装置中形成各自穿过第一绝缘层与第二绝缘层之间的接合面的第一开口和第二开口，/n半导体装置包括包围多个接合部的边缘，/n第一开口和第二开口沿着半导体装置的边缘布置，/n多个接合部包括在第一开口与第二...

【技术特征摘要】
20191008 JP 2019-1854581.一种半导体装置，包括：
第一半导体部件，其包括第一绝缘层和嵌入到配设在第一绝缘层中的凹部中的多个第一金属焊盘；以及
第二半导体部件，其包括第二绝缘层和嵌入到配设在第二绝缘层中的凹部中的多个第二金属焊盘，
其中，第一半导体部件和第二半导体部件彼此堆叠，使得第一绝缘层和第二绝缘层彼此接合，
所述多个第一金属焊盘中的各个和所述多个第二金属焊盘中的各个彼此接合以形成多个接合部中的各个，
在半导体装置中形成各自穿过第一绝缘层与第二绝缘层之间的接合面的第一开口和第二开口，
半导体装置包括包围多个接合部的边缘，
第一开口和第二开口沿着半导体装置的边缘布置，
多个接合部包括在第一开口与第二开口之间的第一接合部，并且多个接合部中的任何一个在平行于边缘的方向上不位于第一接合部与第一开口之间，并且
在接合面上，令Wd为第一接合部在平行于边缘的方向上的宽度，Wo为第一开口在平行于边缘的方向上的宽度，Doo为第一开口与第二开口之间的距离，Dod为第一开口与第一接合部之间的距离，并且Doe为第一开口与边缘之间的距离，
则满足Doo<2×Wo，Doe<2×Wo以及Dod>Wd。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，令Sd为在所述接合面上，所述第一接合部与所述多个接合部当中的、在与边缘平行的方向上与所述第一接合部相邻的另一接合部之间的间隔，则进一步满足Doo>10×(Wd+Sd)。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，令Sd为在所述接合面上，所述第一接合部与所述多个接合部当中的与所述第一接合部相邻的另一接合部之间的间隔，则进一步满足Dod＜3×(Wd+Sd)。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，进一步满足Dod＜Doo/4。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个接合部在所述第一开口与所述第二开口之间包括沿着连接所述第一开口和所述第二开口的方向布置的不少于五个接合部。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一接合部是所述多个接合部当中的、在所述第一开口与所述第二开口之间最靠近所述第一开口的接合部。


7.根据权利要求1的半导体装置，其中
多个接合部包括在第一开口与第二开口之间的第二接合部，并且多个接合部中的任何一个都不位于第二接合部与第二开口之间，并且
在接合面上，令Wd'为第二接合部在平行于边缘的方向上的宽度，Wo'为第二开口在平行于边缘的方向上的宽度，Dod'为第二开口与第二接合部之间的距离，并且Doe'为第二开口与边缘之间的距离，
则满足Doo'<2×Wo'，Doe'<2×Wo'以及Dod'>Wd'。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第二接合部是所述多个接合部当中的、在所述第一开口与所述第二开口之间最靠近所述第二开口的接合部。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，进一步满足Wo<Doo。


10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述接合面上，令Wd”为所述多个接合部中的一个接合部在垂直于所述边缘的方向上的宽度，Dfd为所述边缘与所述一个接合部之间的距离，并且Sd为所述一个接合部与多个接合部当中的与所述一个接合部相邻的接合部之间的间隔，
则满足Wd"<Dfd。


11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，进一步满足Wd2/(Wd+Sd)2＜0.3。


12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，进一步满足50μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川俊之，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP