图像感测装置制造方法及图纸

公开了一种图像感测装置。该图像感测装置包括：半导体基板、多个信号检测器、绝缘层和至少一个栅极。半导体基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且响应于入射在第一表面上的光而产生信号载流子。多个信号检测器形成于半导体基板上，并且多个信号检测器的位置相比于靠近半导体基板的第一表面而言更靠近第二表面，并且多个信号检测器利用电位差来检测信号载流子。绝缘层设置在半导体基板的第二表面处，并且将信号检测器彼此隔离。至少一个栅极设置于被插置在信号检测器之间的绝缘层处，并将到达半导体基板的第二表面的光反射回半导体基板。

【技术实现步骤摘要】
图像感测装置
本专利文件中公开的技术和实现方式总体上涉及一种图像感测装置。
技术介绍
图像传感器是用于将光学图像转换成电信号的半导体装置。近年来，随着计算机工业和通信工业的不断发展，对高质量和高性能图像传感器的需求与诸如数码相机、便携式摄像机、个人通信系统(PCS)、视频游戏机、监控相机、医疗微型相机、机器人等的各种电气装置一起迅速增长。为了使用图像传感器获取三维(3D)图像，需要3D图像的颜色信息以及目标对象与图像传感器之间的距离(或深度)。用于获取关于目标对象与图像传感器之间的距离的信息的方法可以分为被动方法和主动方法。被动方法可以在不向目标对象发射光的情况下仅使用目标对象的图像信息来计算目标对象与图像传感器之间的距离。被动方法可以应用于立体相机。主动方法可以分类为三角测量法(triangulationmethod)、飞行时间(TOF)法等。在已经从与图像传感器间隔开预定距离的光源(例如，激光源)发射光之后，三角测量法可以感测从目标对象反射的光，并且可以使用感测结果来计算目标对象与图像传感器之间的距离。在已经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：/n半导体基板，该半导体基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且被配置为响应于入射在所述第一表面上的光而产生信号载流子；/n多个信号检测器，该多个信号检测器形成于所述半导体基板上，并且该多个信号检测器的位置相比于靠近所述半导体基板的所述第一表面而言更靠近所述第二表面，并且该多个信号检测器被配置为利用电位差来检测所述信号载流子；/n绝缘层，该绝缘层设置在所述半导体基板的所述第二表面上，并且被配置为将所述信号检测器彼此隔离；以及/n至少一个栅极，该至少一个栅极设置于被插置在所述信号检测器之间的所述绝缘层处，并被配置为将到达所述半导体基板的所述第...

【技术特征摘要】
20191008 KR 10-2019-01246451.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
半导体基板，该半导体基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且被配置为响应于入射在所述第一表面上的光而产生信号载流子；
多个信号检测器，该多个信号检测器形成于所述半导体基板上，并且该多个信号检测器的位置相比于靠近所述半导体基板的所述第一表面而言更靠近所述第二表面，并且该多个信号检测器被配置为利用电位差来检测所述信号载流子；
绝缘层，该绝缘层设置在所述半导体基板的所述第二表面上，并且被配置为将所述信号检测器彼此隔离；以及
至少一个栅极，该至少一个栅极设置于被插置在所述信号检测器之间的所述绝缘层处，并被配置为将到达所述半导体基板的所述第二表面的光反射回所述半导体基板。


2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述绝缘层包括掩埋在沟槽中的绝缘材料。


3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述至少一个栅极包括：
栅极绝缘层；
多晶硅膜，该多晶硅膜形成于所述栅极绝缘层上；以及
金属膜，该金属膜形成于所述多晶硅膜上。


4.根据权利要求3所述的图像感测装置，其中，所述金属膜包括硅化物膜。


5.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，每个所述信号检测器包括：
控制区，该控制区包括第一类型杂质，并被配置为根据控制信号而在所述半导体基板中产生空穴电流；以及
检测区，该检测区包括第二类型杂质，所述第二类型杂质的导电类型与所述第一类型杂质的导电类型相反，并且所述检测区被配置为捕获由于所述空穴电流而移动的所述信号载流子。


6.根据权利要求5所述的图像感测装置，其中，所述控制区和所述检测区通过所述绝缘层而彼此隔离。


7.根据权利要求5所述的图像感测装置，其中，所述检测区被布置为围绕所述控制区。


8.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述至少一个栅极的尺寸小于所述信号检测器的尺寸。


9.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述至少一个栅极被形成为围绕位于所述至少一个栅极两侧的所述信号检测器的侧表面。

【专利技术属性】
技术研发人员：郭镐映，尹亨埈，金钟殷，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR