一种CIS产品的微透镜形成方法技术

本申请公开了一种CIS产品的微透镜形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一制作CIS产品的衬底，所述衬底上形成有金属层间介质层，所述金属层间介质层中设置有金属连线；在所述金属层间介质层的上方形成第一层微透镜材料层；通过光刻工艺在所述第一层微透镜材料层上方定义微透镜图案；根据所述微透镜图案刻蚀所述第一层微透镜材料层，形成微透镜前置结构；沉积第二层微透镜材料层，形成微透镜，所述微透镜位于所述CIS产品的像素区上方，微透镜材料为含碳氧化硅；解决了目前利用二氧化硅制作的微透镜的透光性一般的问题；达到了提高CIS微透镜的透光性，提升CIS产品性能的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种CIS产品的微透镜形成方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种CIS产品的微透镜形成方法。
技术介绍
COMS图像传感器(CMOSImageSensor，CIS)是一种用于将光信号转换为电信号的器件。由于CIS具有集成度高、功率低、成本低等优势，应用越来越广泛。CIS由CMOS转换电路和像素单元构成，光电二极管设置在像素单元的光敏区，光敏区的面积越大，CIS采集的光越多，但由于器件面积的限制，光敏区的面积也受到限制。为了提高光敏区收集光的效率，会在光敏区的光电二极管上方覆盖微透镜。
技术实现思路
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种CIS产品的微透镜形成方法。该技术方案如下：一方面，本申请实施例提供了一种CIS产品的微透镜形成方法，该方法包括：提供一制作CIS产品的衬底，衬底上形成有金属层间介质层，金属层间介质层中设置有金属连线；在金属层间介质层的上方形成第一层微透镜材料层；通过光刻工艺在第一层微透镜材料层上方定义微透镜图案；根据微透镜图案刻蚀第一层微透镜材料层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CIS产品的微透镜形成方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供一制作CIS产品的衬底，所述衬底上形成有金属层间介质层，所述金属层间介质层中设置有金属连线；/n在所述金属层间介质层的上方形成第一层微透镜材料层；/n通过光刻工艺在所述第一层微透镜材料层上方定义微透镜图案；/n根据所述微透镜图案刻蚀所述第一层微透镜材料层，形成微透镜前置结构；/n沉积第二层微透镜材料层，形成微透镜，所述微透镜位于所述CIS产品的像素区上方；/n其中，微透镜材料为含碳氧化硅。/n

【技术特征摘要】
1.一种CIS产品的微透镜形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一制作CIS产品的衬底，所述衬底上形成有金属层间介质层，所述金属层间介质层中设置有金属连线；
在所述金属层间介质层的上方形成第一层微透镜材料层；
通过光刻工艺在所述第一层微透镜材料层上方定义微透镜图案；
根据所述微透镜图案刻蚀所述第一层微透镜材料层，形成微透镜前置结构；
沉积第二层微透镜材料层，形成微透镜，所述微透镜位于所述CIS产品的像素区上方；
其中，微透镜材料为含碳氧化硅。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微透镜前置结构的剖面为梯形，所述梯形的底部比顶部宽；
所述梯形的倾斜角的角度范围为7...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙少俊，王函，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32