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本申请公开了一种CIS器件中超深光电二极管的制作方法、CIS器件，涉及半导体制造领域。该方法包括在硅衬底上形成垫氧化层；在硅衬底中形成初始P型区和初始N型区；去除硅衬底表面的垫氧化层；在硅衬底表面生长硅外延层，并在硅外延层中形成m组P型区和...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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