三维存储器件及其形成方法技术

公开了三维(3D)存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括衬底、衬底上方的具有双面阶梯形的栅电极、栅电极上的阻隔层、在阻隔层上各自横向延伸的多个分立的电荷捕获层、多个电荷捕获层上的隧穿层、以及在隧穿层上各自横向延伸的多个分立的沟道层。多个电荷捕获层分别对应于栅电极的双面阶梯形的阶梯设置。多个沟道层分别对应于所述双面阶梯形的阶梯设置。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器件及其形成方法本申请是申请日为2019年09月29日，专利技术名称为“三维存储器件及其形成方法”，申请号为201980002337.7的专利申请的分案申请。
本公开的实施例涉及三维(3D)存储器件及其制造方法。
技术介绍
通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储单元缩放到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本昂贵。因此，平面存储单元的存储密度接近上限。3D存储器架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储器阵列和用于控制进出存储器阵列的信号的外围器件。
技术实现思路
本文公开了3D存储器件及其制造方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括衬底、衬底上方的具有双面阶梯形的栅电极、栅电极上的阻隔层、在阻隔层上各自横向延伸的多个分立的电荷捕获层、多个电荷捕获层上的隧穿层、以及各自在隧穿层上横向延伸的多个分立的沟道层。多个电荷捕获层分别对应于栅电极的双面阶梯形的阶梯设置。多个沟道层分别对应于所述双面阶梯形的阶梯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维3D存储器件，包括：/n衬底；/n所述衬底上方的具有双面阶梯形的栅电极；/n所述栅电极上的阻隔层；/n在所述阻隔层上各自横向延伸的多个分立的电荷捕获层，其中，所述多个电荷捕获层分别对应于所述栅电极的所述双面阶梯形的阶梯设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维3D存储器件，包括：
衬底；
所述衬底上方的具有双面阶梯形的栅电极；
所述栅电极上的阻隔层；
在所述阻隔层上各自横向延伸的多个分立的电荷捕获层，其中，所述多个电荷捕获层分别对应于所述栅电极的所述双面阶梯形的阶梯设置。


2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，
所述多个电荷捕获层上的隧穿层；以及
在所述隧穿层上各自横向延伸的多个分立的沟道层，其中，所述多个沟道层分别对应于所述双面阶梯形的所述阶梯设置。


3.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述双面阶梯形至少具有位于三个层级处的五个阶梯。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述栅电极的所述双面阶梯形的所述阶梯在横向方向上是对称的。


5.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述阻隔层是连续的并且至少沿着所述栅电极的顶表面设置。


6.根据权利要求2或3所述的3D存储器件，其中，所述隧穿层是连续的并且至少沿着每个所述电荷捕获层的顶表面设置。


7.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，
所述多个电荷捕获层包括顶部电荷捕获层、一组左侧电荷捕获层和一组右侧电荷捕获层；并且
所述顶部电荷捕获层横向设置在所述一组左侧电荷捕获层和所述一组右侧电荷捕获层之间。


8.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，每一对所述左侧电荷捕获层和所述右侧电荷捕获层设置在相同的层级处，所述层级位于设置所述顶部电荷捕获层的层级下方。


9.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，
所述多个沟道层包括顶部沟道层、一组左侧沟道层和一组右侧沟道层；并且
所述顶部沟道层横向设置在所述一组左侧沟道层和所述一组右侧沟道层之间。


10.根据权利要求9所述的3D存储器件，其中，每一对所述左侧沟道层和所述右侧沟道层设置在相同的层级处，所述层级位于设置所述顶部沟道层的层级下方。


11.根据权利要求9所述的3D存储器件，包括顶部存储单元、一组左侧存储单元和一组右侧存储单元，其中，
所述顶部存储单元包括所述顶部电荷捕获层、所述顶部沟道层、所述阻隔层的部分和所述隧穿层的部分；
所述一组左侧存储单元中的每一个包括所述一组左侧电荷捕获层中相应的一个、所述一组左侧沟道层中相应的一个、所述阻隔层的相应部分和隧穿层的相应部分；并且
所述一组右侧存储单元中的每一个包括所述一组右侧电荷捕获层中相应的一个、所述一组右侧沟道层中相应的一个、所述阻隔层的相应部分和隧穿层的相应部分。


12.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述阻隔层包括氧化硅，每个所述电荷捕获层包括氮化硅，并且所述隧穿层包括氧化硅。


13.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，每个所述沟道层包括多晶硅。


14.一种三维3D存储器件，包括：
衬底；
所述衬底上方的具有双面阶梯形的栅电极；
所述栅电极上的阻隔层；
在所述阻隔层上各自横向延伸的多个分立的电荷捕获层，其中，所述多个电荷捕获层分别对应于所述栅电极的所述双面阶梯形的阶梯设置。


15.根据权利要求14所述的3D存储器件，其中，
所述多个电荷捕获层上的隧穿层；以及
所述隧穿层上的沟道层。


16.根据权利要求14所述的3D存储器件，其中，所述双面阶梯形至少具有位于三个层级处的五个阶梯。


17.根据权利要求14-16中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述栅电极的所述双面阶梯形的所述阶梯在横向方向上是对称的。


18.根据权利要求14-16中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述阻隔层是...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱宏斌，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42