半导体结构及制造半导体结构的方法技术

本申请实施例是关于半导体结构及制造半导体结构的方法。根据本申请的一实施例提供的半导体结构包括晶圆，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；及第一胶体层，其包括第一胶体，其设置于第一表面上；及第二胶体，其设置于第一胶体上。本申请的实施例提供的制造半导体结构的方法，其可以简单的制程获得质量良好的具有厚度大于约90微米且小于约200微米的晶片的半导体结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及制造半导体结构的方法
本申请涉及半导体
，特别是涉及半导体结构及制造半导体结构的方法。
技术介绍
随着半导体技术的迅速发展，超薄厚度的半导体结构越来越受到市场的欢迎。晶圆出厂时的厚度一般为大约750微米。针对不同的半导体产品的封装形式和厚度要求，需要将晶圆研磨到指定的厚度。作为晶圆的一种封装形式，需要在研磨晶圆达到预定的厚度之后，在没有电路布置的晶圆的背面印刷一层非导电胶体，以备在后续工艺制程中将切割好的晶片连接至其它半导体元件。由于晶圆的正面设置有电路，因此需要在研磨晶圆及印刷非导电胶体期间保护晶圆正面电路免受损伤。现有技术通常在研磨晶圆之前在晶圆的正面设置一层胶膜来保护晶圆正面的电路。一方面，要求该胶膜具有一定的硬度，以在研磨晶圆期间对晶圆提供一定的支撑力。另一方面，由于在晶圆的背面印刷非导电胶体的工艺需要在约150℃的高温条件下进行，因此还要求该胶膜具有良好的耐高温特性，避免胶体残留在晶圆表面或者胶膜收缩对晶圆造成不良影响。现有技术采用“三井化学株式会社”提供的型号为SB251HRC胶膜可获得最终厚度大于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其包括：/n晶圆，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；及/n第一胶体层，其包括：/n第一胶体，其设置于所述第一表面上；及/n第二胶体，其设置于所述第一胶体上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其包括：
晶圆，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；及
第一胶体层，其包括：
第一胶体，其设置于所述第一表面上；及
第二胶体，其设置于所述第一胶体上。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一胶体为PW-3615MT胶体，所述第二胶体为E-8180HR胶体。


3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述PW-3615MT胶体具有第一基底层和第一胶层，所述E-8180HR胶体具有第二基底层和第二胶层。


4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第一胶层的厚度大于等于约15微米。


5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第一基底层的厚度大于等于约25微米。


6.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第二胶层的厚度大于等于约10微米。


7.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第二基底层的厚度大于等于约100微米。


8.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第一胶层和所述第二胶层的材料为亚克力，且所述第一基底层的材料和所述第二基底层的材料各自选自以下材料中的一或多者：聚氯乙烯PVC、氧化丙烯PO、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN和聚酰亚胺PI。


9.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括设置于所述第二表面上的非导电胶体。


10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述晶圆的厚度为大于等于约90微米且小于等于约200微米。


11.一种制造半导体结构的方法，其包括：
提供晶圆，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；及
将第一胶体层设置于所述第一表面上，所述第一胶体层包括：
第一胶体，其设置于所述第一表面上；及
第二胶体，其设置于所述第一胶体上，
研磨所述第二表面；及
将非导电胶体设置于所述第二表面且固化所述非导电胶体。


12.根据权利要求11所述的制造半导体结构的方法，其中，所述将非导电胶体设置于所述第二表面且固化所述非导电胶体的步骤包括：
将第一层非导电胶体设置于所述第二表面，以约150℃的温度烘烤所述第一层非导电胶体约20分钟；及

【专利技术属性】
技术研发人员：叶宗麒，
申请(专利权)人：苏州日月新半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32