接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法技术

本发明专利技术公开了一种接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法包括如下步骤：步骤一、利用被检测产品的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差和电子束检测设备扫描形成的接触孔的图像亮度具有相关性的特点，预先形成被检测产品对应的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差和对应的接触孔的图像亮度的拟合曲线。步骤二、采用电子束检测设备对被检测产品进行扫描并得到被检测产品上和多晶硅图形相套刻的接触孔的图像亮度。步骤三、结合拟合曲线将被检测产品对应的接触孔的图像亮度转换为被检测产品的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差。本发明专利技术能在线快速且全面检测出接触孔和多晶硅图形的套刻偏差。

【技术实现步骤摘要】
接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种接触孔(CT)和多晶硅图形的套刻偏差(overlay)的检测方法。
技术介绍
随着集成电路先进制程的发展，尤其是55nm技术节点平台下，接触孔和有源区(AA)或多晶硅(poly)之间的套刻偏差(overlay)的随机波动会严重影响产品良率。现有方法很难实现接触孔和多晶硅图形如多晶硅栅之间的套刻偏差的在线(Inline)检测，例如Inlineoverlay检测很难针对静电随机存储器(SRAM)等产品的局部区域量测并定性是否漏电风险。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法，能在线快速且全面检测出接触孔和多晶硅图形的套刻偏差。为解决上述技术问题，本专利技术提供的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法包括如下步骤：步骤一、利用被检测产品的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差和电子束检测(E-BeamInspection，EBI)设备扫描形成的所述接触孔的图像亮度具有相关性的特点本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、利用被检测产品的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差和电子束检测设备扫描形成的所述接触孔的图像亮度具有相关性的特点，预先形成所述被检测产品对应的所述接触孔和所述多晶硅图形的套刻偏差和对应的所述接触孔的图像亮度的拟合曲线；/n步骤二、提供所述被检测产品，所述被检测产品上形成有所述多晶硅图形和所述接触孔；采用所述电子束检测设备对所述被检测产品进行扫描并得到所述被检测产品上和所述多晶硅图形相套刻的所述接触孔的图像亮度；/n步骤三、结合所述拟合曲线将所述被检测产品对应的所述接触孔的图像亮度转换为所述被检测产品的所述接触孔和所...

【技术特征摘要】
1.一种接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、利用被检测产品的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差和电子束检测设备扫描形成的所述接触孔的图像亮度具有相关性的特点，预先形成所述被检测产品对应的所述接触孔和所述多晶硅图形的套刻偏差和对应的所述接触孔的图像亮度的拟合曲线；
步骤二、提供所述被检测产品，所述被检测产品上形成有所述多晶硅图形和所述接触孔；采用所述电子束检测设备对所述被检测产品进行扫描并得到所述被检测产品上和所述多晶硅图形相套刻的所述接触孔的图像亮度；
步骤三、结合所述拟合曲线将所述被检测产品对应的所述接触孔的图像亮度转换为所述被检测产品的所述接触孔和所述多晶硅图形的套刻偏差。


2.如权利要求1所述的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法，其特征在于：步骤一中，形成所述拟合曲线的分步骤包括：
步骤11、通过在测试片上形成和所述被检测产品相同的所述接触孔和所述多晶硅图形，而且在所述测试片上对所述接触孔和所述多晶硅图形之间的间距进行拉偏从而形成一系列大小不同的所述接触孔和所述多晶硅图形的套刻偏差；
步骤12、采用所述电子束检测设备扫描所述测试片形成的第一扫描图片；
步骤13、在所述第一扫描图片上确定各所述接触孔的图像亮度；
步骤14、将各所述接触孔的图像亮度和对应的所述套刻偏差进行拟合形成所述拟合曲线。


3.如权利要求2所述的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法，其特征在于：步骤11中，所述测试片上，按照所述套刻偏差的大小按照一个反向逐渐增加或者逐渐减少以及各所述接触孔按照所述套刻偏差渐变的方向排列，使得在所述套刻偏差渐变的方向上，所述接触孔的位置和所述套刻偏差的大小一一对应；
步骤13中，各所述接触孔的图像亮度在所述第一扫描图片中的位置和对应的所述接触孔在所述测试片上的位置相对应，通过所述接触孔的图像亮度在所述第一扫描图片中的位置确定所述接触孔的图像亮度所对应的所述套刻偏差大小。


4.如权利要求3所述的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法，其特征在于：所述被检测产品包括多个。


5.如权利要求4所述的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法，其特征在于：当各所述被检测产品的类型相同时，各所述被检测产品共用相同的所述拟合曲线，所述拟合曲线仅需要在对第一个所述被检测产品进行检测之前形成即可。


6.如权利要求4所述的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法，其特征在于：当各所述被检测产品的类型包括多种时，在各种类型的第一个所述被检测产品进行检测之前进行步骤一并形成和所述被检测产品的类型相对应的所述拟合曲线；步骤三中各种类型的所述被检测产品采用和所述被检测产品的类型相对应的所述拟合曲线。


7.如权利要求6所述的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法，其特征在于：步骤11中，每一个所述测试片上仅形成有和一种类型的所述被检测产品相同的所述接触孔和所述多晶硅图形；各种类型的所述被检测产品对应的所述拟合曲线分别在不同的所述测试片上得到。


8.如权利要求6所述的接触孔和多晶硅图形的套...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁威，李磊，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32