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本发明公开了一种接触孔和多晶硅图形的套刻偏差的检测方法包括如下步骤：步骤一、利用被检测产品的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差和电子束检测设备扫描形成的接触孔的图像亮度具有相关性的特点，预先形成被检测产品对应的接触孔和多晶硅图形的套刻偏差和对应的...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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