本发明专利技术提供一种Micro‑LED的测试电路、装置和方法，该测试电路包括：第一金属引线、第二金属引线、第一测试电极和第二测试电极；第一金属引线与晶圆的LED的阳极连接，并延伸至晶圆的外延片或者发光区域的外侧；第二金属引线与晶圆的LED的阴极连接，并延伸至晶圆的外延片或者发光区域的外侧；第一测试电极位于第一金属引线的延伸段上；第二测试电极位于第二金属引线的延伸段上；当第一测试电极和第二测试电极分别与外部测试设备电连接时，对晶圆的LED进行批量测试。本发明专利技术能够解决晶圆的LED测试效率低下的技术问题，实现对晶圆LED的批量测试，显著地提高了测试效率。
【技术实现步骤摘要】
Micro-LED的测试电路、装置和方法
本专利技术涉及一种Micro-LED的测试电路、装置和方法，属于有机发光显示
技术介绍
Micro-LED显示技术具备高亮度、低功耗、高解析度、高色彩饱和度，以及更长的使用寿命等优点，因而被应用在了越来越多的显示面板中。在Micro-LED的制造工艺中，需要对LED进行性能测试。现有的测试方式是在LED光源顶面覆盖一个玻璃盖板来固定LED光源，然后采用双探针与LED的电极进行电连接点测测试。然而，上述测试方式测试效率低下，不适用于Micro-LED晶圆片上数百万颗LED芯粒的测试。
技术实现思路
本专利技术提供一种Micro-LED的测试电路、装置和方法，以解决晶圆LED测试效率低下的问题，实现对晶圆LED的批量测试，显著地提高了测试效率。第一方面，本专利技术提供一种Micro-LED的测试电路，包括：第一金属引线、第二金属引线、第一测试电极和第二测试电极；所述第一金属引线与晶圆的LED的阳极连接，并延伸至所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧；所述第二金属引线与晶圆的LED的阴极连接，并延伸至所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧；所述第一测试电极位于所述第一金属引线的延伸区段上；所述第二测试电极位于所述第二金属引线的延伸区段上；当所述第一测试电极和所述第二测试电极分别与外部测试设备电连接时，对所述晶圆的LED进行批量测试。如上所述的电路，可选地，所述第一金属引线的延伸区段是指位于所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧的区段；所述第二金属引线的延伸区段是指位于所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧的区段。如上所述的电路，可选地，所述第一金属引线和所述第二金属引线将所述晶圆的LED划分为两个及以上的测试区域，每个测试区域通过所述第一测试电极和所述第二测试电极与外部测试电路电连接；当所述第一测试电极和所述第二测试电极分别与外部测试设备电连接时，对相应测试区域内的LED进行批量测试。如上所述的电路，可选地，每个所述测试区域的面积相同。如上所述的电路，可选地，所述第一金属引线和所述第二金属引线直接布设在晶圆上，或者布设在晶圆对应的测试背板上。第二方面，本专利技术提供一种Micro-LED的测试装置，包括：包含有如第一方面中所述的测试电路的晶圆、载台、图像采集器、电源以及计算机；所述晶圆安装在所述载台上，所述电源通过探针与所述第一测试电极和所述第二测试电极接触连接，用于向所述晶圆的LED提供测试信号；所述图像采集器用于采集测试过程中所述晶圆对应的测试图像，并将所述测试图像发送给计算机；所述计算机根据所述测试图像获取所述晶圆的LED的测试结果。如上所述的装置，可选地，所述探针的末端设置有弹簧，或者所述探针采用悬臂梁式探针。第三方面，本专利技术还提供一种Micro-LED的测试方法，所述方法包括：在晶圆的外延片边缘或者发光区域外侧制作第一测试电极和第二测试电极；采用光刻方式绘制布线图；根据所述布线图制作第一金属引线和第二金属引线；其中，所述第一金属引线与晶圆的LED的阳极连接，并延伸至所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧；所述第二金属引线与晶圆的LED的阴极连接；将所述第一测试电极和所述第二测试电极分别与外部测试设备电连接，对所述晶圆的LED进行批量测试。如上所述的方法，可选地，所述采用光刻方式绘制布线图，包括：对所述晶圆进行清洗；在所述晶圆上旋涂光刻胶；采用曝光显影工艺暴露出布线图。如上所述的方法，可选地，所述根据所述布线图制作第一金属引线和第二金属引线，包括：根据所述布线图，通过Sputter工艺制作所述第一金属引线和所述第二金属引线；去除光刻胶。如上所述的方法，可选地，在对所述晶圆的LED进行批量测试之后，还包括：在常温下，通过碱溶液去除所述晶圆上的所述第一金属引线和所述第二金属引线。本专利技术提供的Micro-LED的测试电路、装置和方法，通过在晶圆上布设与LED阳极电连接的第一金属引线，以及与LED阴极电连接的第二金属引线，且该第一金属引线和第二金属引线延伸至晶圆外延片的边缘或者发光区域的外侧；然后通过位于第一金属引线的延伸段上的第一测试电极和位于第二金属引线的延伸段上的第二测试电极对晶圆上LED进行批量测试。从而解决了晶圆的LED测试效率低下的技术问题，实现对晶圆LED的批量测试，显著地提高了测试效率。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。此外，这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本专利技术构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本专利技术的概念。图1为本专利技术实施例中Micro-LED的测试电路的一种实施方式的结构示意图；图2为本专利技术实施例中Micro-LED的测试电路的另一种实施方式的结构示意图；图3为本专利技术实施例中Micro-LED的测试电路的又一种实施方式的布线结构示意图；图4为本专利技术实施例中Micro-LED的测试装置的一种实施方式的结构示意图；图5为本专利技术实施例中Micro-LED的测试方法的一种实施方式的流程示意图；图6为本专利技术实施例中Micro-LED的测试方法的另一种实施方式的流程示意图。附图标记说明：100-测试电路；111-第一金属引线；112-第二金属引线；113-第一测试电极；114-第二测试电极；120-LED；200-测试装置；210-载台；220-图像采集器；230-电源；240-计算机；250-晶圆；260-探针。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术的实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。实施例一图1为本专利技术实施例中Micro-LED的测试电路的一种实施方式的结构示意图。如图1所示，本实施例提供一种测试电路100，包括第一金属引线111、第二金属引线112、第一测试电极113和第二测试电极114；第一金属引线111与晶圆的LED120的阳极连接，并延伸至晶圆的外延片或者发光区域的外侧；第二金属引线112与晶圆的LED120的阴极连接，并延伸至晶圆的外延片或者发光区域的外侧；第一测试电极113位于第一金属引线111的延伸区段上；第二测试电极114位于第二金属引线112的延伸区段上；当第一测试电极113和第二测试电极114分别与外部测试设备电连接时，对晶圆的LED120进行批量测试。本实施例中，将LE本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种Micro-LED的测试电路，其特征在于，包括：第一金属引线、第二金属引线、第一测试电极和第二测试电极；所述第一金属引线与晶圆的LED的阳极连接，并延伸至所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧；所述第二金属引线与晶圆的LED的阴极连接，并延伸至所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧；所述第一测试电极位于所述第一金属引线的延伸区段上；所述第二测试电极位于所述第二金属引线的延伸区段上；当所述第一测试电极和所述第二测试电极分别与外部测试设备电连接时，对所述晶圆的LED进行批量测试。/n
【技术特征摘要】
1.一种Micro-LED的测试电路，其特征在于，包括：第一金属引线、第二金属引线、第一测试电极和第二测试电极；所述第一金属引线与晶圆的LED的阳极连接，并延伸至所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧；所述第二金属引线与晶圆的LED的阴极连接，并延伸至所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧；所述第一测试电极位于所述第一金属引线的延伸区段上；所述第二测试电极位于所述第二金属引线的延伸区段上；当所述第一测试电极和所述第二测试电极分别与外部测试设备电连接时，对所述晶圆的LED进行批量测试。
2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述第一金属引线和所述第二金属引线将所述晶圆的LED划分为两个及以上的测试区域，每个测试区域通过所述第一测试电极和所述第二测试电极与外部测试电路电连接；当所述第一测试电极和所述第二测试电极分别与外部测试设备电连接时，对相应测试区域内的LED进行批量测试。
3.根据权利要求2所述的测试电路，其特征在于，每个所述测试区域的面积相同。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的测试电路，其特征在于，所述第一金属引线和所述第二金属引线直接布设在晶圆上，或者布设在晶圆对应的测试背板上。
5.一种Micro-LED的测试装置，其特征在于，包括：包含有如权利要求1-4中所述的测试电路的晶圆、载台、图像采集器、电源以及计算机；所述晶圆安装在所述载台上，所述电源通过探针与所述第一测试电极和所述第二测试电极接触连接，用于向所述晶圆的LED提供测试信号；所述图像采...
【专利技术属性】
技术研发人员：田文亚，郭恩卿，王程功，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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