Micro-LED的测试电路、装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种Micro‑LED的测试电路、装置和方法，该测试电路包括：第一金属引线、第二金属引线、第一测试电极和第二测试电极；第一金属引线与晶圆的LED的阳极连接，并延伸至晶圆的外延片或者发光区域的外侧；第二金属引线与晶圆的LED的阴极连接，并延伸至晶圆的外延片或者发光区域的外侧；第一测试电极位于第一金属引线的延伸段上；第二测试电极位于第二金属引线的延伸段上；当第一测试电极和第二测试电极分别与外部测试设备电连接时，对晶圆的LED进行批量测试。本发明专利技术能够解决晶圆的LED测试效率低下的技术问题，实现对晶圆LED的批量测试，显著地提高了测试效率。

【技术实现步骤摘要】
Micro-LED的测试电路、装置和方法
本专利技术涉及一种Micro-LED的测试电路、装置和方法，属于有机发光显示

技术介绍
Micro-LED显示技术具备高亮度、低功耗、高解析度、高色彩饱和度，以及更长的使用寿命等优点，因而被应用在了越来越多的显示面板中。在Micro-LED的制造工艺中，需要对LED进行性能测试。现有的测试方式是在LED光源顶面覆盖一个玻璃盖板来固定LED光源，然后采用双探针与LED的电极进行电连接点测测试。然而，上述测试方式测试效率低下，不适用于Micro-LED晶圆片上数百万颗LED芯粒的测试。
技术实现思路
本专利技术提供一种Micro-LED的测试电路、装置和方法，以解决晶圆LED测试效率低下的问题，实现对晶圆LED的批量测试，显著地提高了测试效率。第一方面，本专利技术提供一种Micro-LED的测试电路，包括：第一金属引线、第二金属引线、第一测试电极和第二测试电极；所述第一金属引线与晶圆的LED的阳极连接，并延伸至所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧；所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro-LED的测试电路，其特征在于，包括：第一金属引线、第二金属引线、第一测试电极和第二测试电极；所述第一金属引线与晶圆的LED的阳极连接，并延伸至所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧；所述第二金属引线与晶圆的LED的阴极连接，并延伸至所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧；所述第一测试电极位于所述第一金属引线的延伸区段上；所述第二测试电极位于所述第二金属引线的延伸区段上；当所述第一测试电极和所述第二测试电极分别与外部测试设备电连接时，对所述晶圆的LED进行批量测试。/n

【技术特征摘要】
1.一种Micro-LED的测试电路，其特征在于，包括：第一金属引线、第二金属引线、第一测试电极和第二测试电极；所述第一金属引线与晶圆的LED的阳极连接，并延伸至所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧；所述第二金属引线与晶圆的LED的阴极连接，并延伸至所述晶圆的外延片或者发光区域的外侧；所述第一测试电极位于所述第一金属引线的延伸区段上；所述第二测试电极位于所述第二金属引线的延伸区段上；当所述第一测试电极和所述第二测试电极分别与外部测试设备电连接时，对所述晶圆的LED进行批量测试。


2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述第一金属引线和所述第二金属引线将所述晶圆的LED划分为两个及以上的测试区域，每个测试区域通过所述第一测试电极和所述第二测试电极与外部测试电路电连接；当所述第一测试电极和所述第二测试电极分别与外部测试设备电连接时，对相应测试区域内的LED进行批量测试。


3.根据权利要求2所述的测试电路，其特征在于，每个所述测试区域的面积相同。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的测试电路，其特征在于，所述第一金属引线和所述第二金属引线直接布设在晶圆上，或者布设在晶圆对应的测试背板上。


5.一种Micro-LED的测试装置，其特征在于，包括：包含有如权利要求1-4中所述的测试电路的晶圆、载台、图像采集器、电源以及计算机；所述晶圆安装在所述载台上，所述电源通过探针与所述第一测试电极和所述第二测试电极接触连接，用于向所述晶圆的LED提供测试信号；所述图像采...

【专利技术属性】
技术研发人员：田文亚，郭恩卿，王程功，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51