【技术实现步骤摘要】
目标物承载装置及半导体器件制作设备
本公开实施例涉及半导体制作
，特别涉及一种目标物承载装置及半导体器件制作设备。
技术介绍
在半导体制作领域，等离子体处理设备利用气体在真空环境下辉光放电产生的等离子体，对待处理的目标物进行等离子体处理。例如，可通过电离气体得到的活性基团在目标物周围发生化学反应，形成新的物质以在目标物表面沉积薄膜。随着半导体器件逐渐微型化，所需要沉积的薄膜厚度越来越薄，且对沉积的薄膜厚度均匀性要求越来越高。因此，如何提高沉积薄膜的均匀性，以提高制作的半导体器件的质量，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本公开实施例提供一种目标物承载装置及存储器制作设备。根据本公开实施例的第一方面，提供一种目标物承载装置，包括：承载台，包括承载位；其中，所述承载位用于承载所述目标物；环形结构，围绕所述承载位设置于所述承载台的上表面，且凸出于所述承载台的上表面；其中，当所述目标物置于所述承载位上时，所述环形结构与所述目标物不接触，所述环形结构的厚度大于...
【技术保护点】
1.一种目标物承载装置，其特征在于，包括：/n承载台，包括承载位；其中，所述承载位用于承载所述目标物；/n环形结构，围绕所述承载位设置于所述承载台的上表面，且凸出于所述承载台的上表面；/n其中，当所述目标物置于所述承载位上时，所述环形结构与所述目标物不接触，所述环形结构的厚度大于所述目标物的厚度。/n
【技术特征摘要】
1.一种目标物承载装置，其特征在于，包括：
承载台，包括承载位；其中，所述承载位用于承载所述目标物；
环形结构，围绕所述承载位设置于所述承载台的上表面，且凸出于所述承载台的上表面；
其中，当所述目标物置于所述承载位上时，所述环形结构与所述目标物不接触，所述环形结构的厚度大于所述目标物的厚度。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述承载位包括：圆形承载位；
所述环形结构包括：圆环；
其中，沿平行于所述圆形承载位所在平面的方向，所述圆形承载位的圆心与所述圆环的圆心错开。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述环形结构的外径大于所述承载台的外径，所述环形结构包括：
通孔，位于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，并沿第一方向贯穿所述环形结构；其中，所述承载台侧壁垂直于所述承载台的上表面，所述第一方向垂直于所述承载台所在的平面。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，
所述环形结构还包括：可滑动盖板，设置于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，覆盖所述环形结构底面，且可相对所述通孔滑动，以改变所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；
所述装置还包括：第一驱动组件，与所述可滑动盖板连接，用于驱动所述可滑动盖板相对所述通孔滑动。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述环形结构包括：活动挡板以及与所述活动挡板相适配的凹槽；其中，所述凹槽，设置在所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁上；
其中，当所述活动挡板处于折叠状态时，所述活动挡板位于所述凹槽内，且与所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁对齐；当所述活动挡板处于展开状态时，所述活动挡板凸出于所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁，且所述活动挡板与所述承载位之间的距离，小于所述环形结构相对靠近...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓晓，廖珮淳，
申请(专利权)人：武汉衍熙微器件有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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