载台组件制造技术

本发明专利技术公开了一种载台组件，包括基座与外墙。所述基座具有基材承载座以及围绕其的圆形凹槽，再者，外墙围绕于圆形凹槽的外围。所述圆型凹槽的外缘与基材承载座的边缘之间具有小于或等于5毫米的第一宽度，以及圆形凹槽的底部与外墙的顶部具有垂直的第一深度，其中所述第一深度与第一宽度的深宽比为1.5‑4。当基材透过所述载台组件受沉积作用时，载台组件可防止基材的非目标面受到沉积。

【技术实现步骤摘要】
载台组件
本专利技术关于一种载台组件，尤其指一种利用外墙与圆形凹槽的结构设计来降低基材的非目标面受到沉积的一种载台组件。
技术介绍
在发光二极管(LED)与半导体工艺中，通常具有镀膜制程(例如，物体气相沉积(PVD))。然而，于现有技术的镀膜制程中，常发生因基材的非目标面受到靶材粒子的沉积而导致电性异常或产品良率下降等问题。举例而言，如图1所示，图1是现有技术的一种载台装置的示意图。在传统半导体制程中，用以承载晶圆W103的载台Tray1为一个平台，当晶圆W103的晶背受到靶材TGT的渗镀或背镀时，可能使晶圆W103良率偏低。此外，在绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的制程中，若晶圆发生背镀现象，将使镀膜的靶材被镀于晶圆的工作区域，导致晶圆表面晶体管短路而严重影响产品良率。现今有一种解决方式如图2所示，图2是现有技术的另一种载台装置的示意图。所述方法是于装载基材103的载台Tray2的边缘挖一圈深沟(凹槽)，并于中间形成基材承载座。所述方法可部份解决背镀的问题(如图2中的右框线A1内所示)，然而，仍然有部分的靶材TGT持续造成基材103的渗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种载台组件，适用于防止基材的非目标面受沉积，其特征在于，所述载台组件包括：/n基座，具有圆形凹槽，以使所述基座的中间形成圆形的基材承载座，所述圆形凹槽的外缘与所述基座的外缘之间具有第一距离并形成外墙底座，其中所述外墙底座具有外墙底座内面，而所述外墙底座内面相邻所述圆形凹槽；以及/n外墙，沿着所述外墙底座向上延伸，所述外墙具有外墙内面，而所述外墙内面相邻所述圆形凹槽，其中所述外墙内面与所述外墙底座内面彼此切齐；/n其中所述圆型凹槽的外缘与所述基材承载座的边缘之间具有第一宽度，以及所述圆形凹槽的底部与所述外墙的顶部具有垂直的第一深度，其中所述第一深度与所述第一宽度的深宽比为1.5-4；/n其...

【技术特征摘要】
20191219 TW 1082169621.一种载台组件，适用于防止基材的非目标面受沉积，其特征在于，所述载台组件包括：
基座，具有圆形凹槽，以使所述基座的中间形成圆形的基材承载座，所述圆形凹槽的外缘与所述基座的外缘之间具有第一距离并形成外墙底座，其中所述外墙底座具有外墙底座内面，而所述外墙底座内面相邻所述圆形凹槽；以及
外墙，沿着所述外墙底座向上延伸，所述外墙具有外墙内面，而所述外墙内面相邻所述圆形凹槽，其中所述外墙内面与所述外墙底座内面彼此切齐；
其中所述圆型凹槽的外缘与所述基材承载座的边缘之间具有第一宽度，以及所述圆形凹槽的底部与所述外墙的顶部具有垂直的第一深度，其中所述第一深度与所述第一宽度的深宽比为1.5-4；
其中所述第一宽度小于或等于5毫米。


2.如权利要求1所述的载台组件，其特征在于，其中所述第一深度与所述第一宽度的所述深宽比为2-2.5；其中所述第一宽度小于或等于2毫米。


3.如权利要求1所述的载台组件，其特征在于，其中所述第一宽度小于或等于1毫米。


4.如权利要求1所述的载台组件，其特征在于，其中所述基座与所述外墙为组合而成，而所述圆形凹槽的底部与所述外墙底座的顶部之间具有凹槽外侧深度，以及所述圆形凹槽的底部与所述基材承载座的顶部具有凹槽内侧深度，其中所述凹槽外侧深度大于、等于或小于所述凹槽内侧深度。


5.如权利要求4所述的载台组件，其特征在于，其中所述凹槽外侧深度大于1毫米；其中所述凹槽内侧深度大于1毫米。


6.如权利要求1所述的载台组件，其特征在于，所述载台组件更包括：
遮蔽顶座，为中空环状圈体，设置于所述外墙的上方，所述遮蔽顶座围绕一個中空部分，而所述中空部分的直径小于所述圆形凹槽的圆形凹槽外缘的直径。


7.如权利要求6所述的载台组件，其特征在于，其中所述遮蔽顶座还包括底部内缘，相邻所述中空部分，而所述底部内缘与所述圆形凹槽的外缘之间具有第三距离，而所述第三距离为1-3毫米；其中所述遮蔽顶座的底部与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，郑耀璇，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35