一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，由Ti金属层和Sb金属层在基层材料上交替沉积复合而成，将Ti金属层和Sb金属层作为一个交替周期；膜结构表达通式为：[Ti

【技术实现步骤摘要】
一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用
本专利技术涉及信息存储的相变材料
，具体涉及一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用。
技术介绍
相变存储器，简称PCM，通常情况下指的是一种基于硫系化合物薄膜的随机存储器。它以其操作电压低、读取速度快、可以位操作、擦写速度快、疲劳特性优异等诸多优点，被众多研究学者们认为它将在不远的将来替代传统闪存存储器成为下一代主流的非易失性存储器。相变存储器中最为核心便是以硫系化合物为基础的相变材料。Ge2Sb2Te5是目前研究最多，最为成熟的相变材料，被认为是最合适的相变材料，已经在可擦写光盘等领域得到了广泛应用。但是随着广大学者对Ge2Sb2Te5相变材料的研究，发现其仍然存在一些问题，比如：热稳定性偏低、功耗偏高、结晶速度较慢其偏低、数据保持能力较弱等不足。作为下一代主流的存储器，相变存储器就要具有高速、高密度和低功耗等特征。因此探寻新型的相变存储材料已成为广大研究学者的首要目的。近年来，为了实现更高稳定性、数据保持时间的目的，越来越多的新本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料，其特征在于，由Ti金属层和Sb金属层在基层材料上交替沉积复合而成，将Ti金属层和Sb金属层作为一个交替周期；/n所述Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料的膜结构表达通式为：[Ti

【技术特征摘要】
1.一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料，其特征在于，由Ti金属层和Sb金属层在基层材料上交替沉积复合而成，将Ti金属层和Sb金属层作为一个交替周期；
所述Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料的膜结构表达通式为：[Tix/Sby]a，其中x为单层Ti金属层的厚度且1nm≤x＜10nm；y为单层Sb金属层的厚度且1nm≤y＜10nm；a为Ti金属层和Sb金属层的交替周期数且2≤a＜10；所述x、y、a满足40nm≤(x+y)×a≤60nm，其中(x+y)×a代表所述Ti/Sb多层纳米相变存储薄膜材料的总膜厚。


2.根据权利要求1所述的一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料，其特征在于，(x+y)×a＝50nm。


3.根据权利要求1所述的一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料，其特征在于，后一个交替周期的Sb金属层沉积在前一个交替周期的Ti金属层上方。


4.根据权利要求1～3任一项所述的Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)清洗基层材料并烘干待用；
(2)磁控溅射前的准备：安装待溅射的Ti金属靶材与Sb金属靶材，将磁控溅射腔室抽真空，使用Ar气作为溅射气体；设定溅射功率，设定溅射Ar气流量及溅射气压；
(3)室温磁控溅射制备Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜：
a)将步骤(1)中基层材料放置在基托上，将空基托分别旋转到Ti金属靶材与Sb金属靶材的靶位上，分别打开靶位上的射频电源，设定Ti金属靶材与Sb金属靶材的溅射时间和溅射速率以清洁靶位表面；
b)Ti金属靶材与Sb金属靶材面清洁完成后，关闭Ti金属靶材与Sb金属靶材靶位上所施加的射频电源；将待溅射的基层材料旋转到Sb金属靶材的靶位，打...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴卫华，黄玉凤，徐胜卿，朱小芹，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32