一种Si-Sb-Sn相变存储材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种Si‑Sb‑Sn相变存储材料及其制备方法，采用磁控溅射法制备，磁控溅射的工艺参数为：氩气流量30～35sccm，溅射气压0.8～1Pa；Si靶溅射功率50W，Sb靶溅射功率20W，Sn靶的溅射功率8～12W；制得的Si‑Sb‑Sn相变存储材料的通式为Sn

【技术实现步骤摘要】
一种Si-Sb-Sn相变存储材料及其制备方法
本专利技术属于半导体材料
，涉及一种Si-Sb-Sn相变存储材料及其制备方法。
技术介绍
相变存储是一种新型非易失性存储技术，具有优异的快速可逆相变特性，被认为有望成为下一代主流信息存储技术。其工作原理是控制相变存储材料在非晶态与晶态结构之间的可逆变化来实现信息存储，而相变存储材料的非晶态对应电阻较高，晶态时对应的电阻较低。非晶态向晶态转变时，为相变存储器的写入(SET)操作；而晶态向非晶态转变时，则对应了相变存储器的擦除(RESET)操作，这些操作均是通过控制电脉冲的强度和作用时间来实现。当电脉冲强度很微弱时，通过电流信号便可区分材料相应的状态，以实现数据读取(READ)的目的。在相变存储材料的研究过程中，以硫系材料为主，其中Ge2Sb2Te5(GST)这一材料研究最为成熟，其非晶态和结晶态之间的电学性质差异明显，薄膜电阻相差5个量级，十年数据保持温度约为85℃，最大可逆循环次数高达1017次。但伴随着材料研究的不断深入，占其主要组分的硫族元素Te的弊端逐渐显露出来。硫族元素的不稳定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Si-Sb-Sn相变存储材料，其特征在于：所述Si-Sb-Sn相变存储材料的化学组成通式为Sn

【技术特征摘要】
1.一种Si-Sb-Sn相变存储材料，其特征在于：所述Si-Sb-Sn相变存储材料的化学组成通式为Snx(Si16Sb84)100-x，其中，0<x<10。


2.根据权利要求1所述的一种Si-Sb-Sn相变存储材料，其特征在于，所述Si-Sb-Sn相变存储材料的晶化温度为192～219℃，十年数据保持温度为112～144℃。


3.根据权利要求1所述的一种Si-Sb-Sn相变存储材料，其特征在于，所述Si-Sb-Sn相变存储材料在相变前后晶粒尺寸均＜20nm。


4.制备如权利要求1～3任一项所述的一种Si-Sb-Sn相变存储材料的方法，其特征在于：采用磁控溅射法制备所述Si-Sb-Sn相变存储材料。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
(1)基底的准备：将Si片清洗烘干固定在基底上，再装入磁控溅射设备中；
(2)磁控溅射的准备：将Si靶安装在射频电源上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝艳，周细应，吴德振，周文华，范志君，邱小小，刘银杰，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：发明
国别省市：上海;31