一种相变存储器及其制作方法技术

本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。所述相变存储器包括：相变存储单元，包括：层叠设置的相变存储层和多个电极层；其中，所述相变存储层位于两个所述电极层之间；所述相变存储单元还包括：导电的粘接层，位于至少一个电极层和所述相变存储层之间，用于增大所述至少一个电极层与所述相变存储层之间的附着力。

【技术实现步骤摘要】
一种相变存储器及其制作方法
本公开实施例涉及半导体
，尤其涉及一种相变存储器及其制作方法。
技术介绍
相变存储器作为一种新兴的非易失性存储器件，同时具有动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)的高速度、高寿命和快闪存储器(FlashMemory)的低成本、非易失的优点。另外，由于其低功耗和高集成度而可以用于移动设备中。相关技术中，可沿垂直于衬底方向堆叠设置存储单元，以提高相变存储器的位密度和集成度。然而，随着相变存储器的位密度和集成度提高，相变存储器的质量较低。因此，如何在提高相变存储器的位密度和集成度的同时，保证相变存储器的质量较好，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种相变存储器及其制作方法。根据本公开实施例的第一方面，提供一种相变存储器，包括：相变存储单元，包括：层叠设置的相变存储层和多个电极层；其中，所述相变存储层位于两个所述电极层之间；所述相变存储单元还包括：导电的粘接层，位于至少一个电极层和所述相变存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相变存储器，其特征在于，包括：/n相变存储单元，包括：层叠设置的相变存储层和多个电极层；其中，所述相变存储层位于两个所述电极层之间；/n所述相变存储单元还包括：导电的粘接层，位于至少一个电极层和所述相变存储层之间，用于增大所述至少一个电极层与所述相变存储层之间的附着力。/n

【技术特征摘要】
1.一种相变存储器，其特征在于，包括：
相变存储单元，包括：层叠设置的相变存储层和多个电极层；其中，所述相变存储层位于两个所述电极层之间；
所述相变存储单元还包括：导电的粘接层，位于至少一个电极层和所述相变存储层之间，用于增大所述至少一个电极层与所述相变存储层之间的附着力。


2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储单元还包括：
第一导电层，位于所述粘接层与所述相变存储层之间，用于减小所述至少一个电极层与所述相变存储层之间的接触电阻；
和/或，
第二导电层，位于另一个电极层和所述相变存储层之间，用于减小所述另一个电极层与所述相变存储层之间的接触电阻；其中，所述粘接层位于一个电极层和所述相变存储层之间；所述另一个电极层和所述一个电极层，分别位于所述相变存储层相对设置的两侧。


3.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，在所述相变存储单元包括所述第一导电层时，所述粘接层，还用于增大所述至少一个电极层和所述第一导电层之间的附着力。


4.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，
所述第二导电层，用于阻挡所述另一个电极层与所述相变存储层之间的扩散。


5.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述粘接层的组成材料包括金属氮化物。


6.一种相变存储器的制备方法，其特征在于，包括：
形成相变存储单元；其中，所述相变存储单元包括层叠设置的相变存储层、多个电极层以及导电的粘接层，所述相变存储层位于两个所述电极层之间；所述粘接层，位于至少一个电极层和所述相变存储层之间，用于增大所述至少一个电极层与所述相变存储层之间的附着力。


7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成相变存储单元包括：
形成由下至上依...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨红心，刘峻，杨海波，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42