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本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。所述相变存储器包括：相变存储单元，包括：层叠设置的相变存储层和多个电极层；其中，所述相变存储层位于两个所述电极层之间；所述相变存储单元还包括：导电的粘接层，位于至少一个电极层和所述相变存储层之间...
该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。

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