存储器设备及其制造方法技术

本公开的实施例涉及存储器设备及其制造方法。一种存储设备和一种制造存储设备的方法，存储器设备包括：堆叠结构，具有在堆叠结构中的单元区域和缩减区域，并且通过交替地堆叠绝缘层和导电层而形成；垂直沟道结构，被形成为穿过单元区域中的堆叠结构；支撑结构，被形成为穿过缩减区域中的堆叠结构，并且具有不同高度，该不同高度取决于缩减区域的堆叠高度，支撑结构中的每个支撑结构具有垂直沟道结构；防蚀刻层，形成在堆叠结构之上并且包括碳；以及接触插塞，被形成为穿过防蚀刻层并且被耦合到导电层。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备及其制造方法相关申请的交叉引用本申请是2020年5月21日提交的美国专利申请No.16/880678的部分的继续申请，该申请要求在韩国知识产权局于2019年10月4日提交的韩国专利申请10-2019-0123129和于2020年8月18日提交的韩国专利申请10-2020-0103398的优先权。上述申请的公开内容在此全文引入作为参考。
本公开的各个实施例总体上涉及一种存储器设备及其制造方法，更具体涉及一种包括沿垂直于衬底的方向堆叠的存储器单元的存储器设备及制造该存储器设备方法。
技术介绍
存储器设备可以包括易失性存储器，当电力中断时，该易失性存储器所存储的数据会丢失。存储器设备还可以包括非易失性存储器，即使电力中断，该非易失性存储器所存储的数据也会保留。随着诸如蜂窝电话和笔记本电脑之类的便携式电子设备的日益普及，需要容量和集成度增加的非易失性存储器设备。进一步提高包括单个层中的衬底上形成的存储器单元的二维非易失性存储器设备的集成度的潜力有限。因此，已经提出了包括衬底上沿垂直方向堆叠的存储器单元的三维(3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：/n堆叠结构，具有在所述堆叠结构中的单元区域和缩减区域，并且通过交替地堆叠绝缘层和导电层而形成；/n垂直沟道结构，被形成为穿过所述单元区域中的所述堆叠结构；/n支撑结构，被形成为穿过所述缩减区域中的所述堆叠结构，并且具有不同的高度，所述不同的高度取决于所述缩减区域的堆叠高度，所述支撑结构中的每个支撑结构具有所述垂直沟道结构；/n防蚀刻层，形成在所述堆叠结构之上并且包括碳；以及/n接触插塞，被形成为穿过所述防蚀刻层并且被耦合到所述导电层。/n

【技术特征摘要】
20191004 KR 10-2019-0123129;20200818 KR 10-2020-011.一种存储器设备，包括：
堆叠结构，具有在所述堆叠结构中的单元区域和缩减区域，并且通过交替地堆叠绝缘层和导电层而形成；
垂直沟道结构，被形成为穿过所述单元区域中的所述堆叠结构；
支撑结构，被形成为穿过所述缩减区域中的所述堆叠结构，并且具有不同的高度，所述不同的高度取决于所述缩减区域的堆叠高度，所述支撑结构中的每个支撑结构具有所述垂直沟道结构；
防蚀刻层，形成在所述堆叠结构之上并且包括碳；以及
接触插塞，被形成为穿过所述防蚀刻层并且被耦合到所述导电层。


2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述防蚀刻层由SiCN层形成。


3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述接触插塞包括：
形成在所述单元区域中的单元接触插塞；以及
形成在所述缩减区域中的缩减接触插塞。


4.根据权利要求3所述的存储器设备，还包括：
形成在所述单元接触插塞之上的位线；以及
形成在所述缩减接触插塞之上的金属线。


5.一种制造存储器设备的方法，包括：
在单元区域和缩减区域中交替地堆叠绝缘层和导电层，以及在所述缩减区域中形成具有阶梯结构的堆叠结构；
沿着所述堆叠结构的上表面形成包括碳的防蚀刻层；
在所述防蚀刻层之上形成层间绝缘层；
执行形成接触孔的第一蚀刻工艺，所述接触孔用于在所述层间绝缘层的所述单元区域和所述缩减区域中暴露所述防蚀刻层的部分；
执行去除通过所述接触孔而被暴露的所述防蚀刻层的第二蚀刻工艺；以及
在所述接触孔中形成接触插塞。


6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述堆叠结构包括：
在基底上交替地堆叠绝缘层和牺牲层；
同时地形成垂直沟道结构和支撑结构，所述垂直沟道结构垂直地穿过堆叠在所述单元区域中的所述绝缘层和所述牺牲层，所述支撑结构垂直地穿过堆叠在所述缩减区域中的所述绝缘层和所述牺牲层；
通过在垂直方向上蚀刻所述支撑结构之间的所述绝缘层和所述牺牲层，来形成用于暴露所述牺牲层的沟槽；
执行去除通过所述沟槽而被暴露的所述牺牲层的第三蚀刻工艺；
在所述牺牲层被去除的所述绝缘层之间形成所述导电层；以及
利用绝缘层填充所述沟槽的内部。


7.根据权利要求6所述的方法，
其中所述绝缘层中的每个绝缘层和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR