具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法技术

公开了半导体器件的实施例及其制造方法。在示例中，半导体器件包括NAND存储器单元和包含第一键合接触部的第一键合层。半导体器件还包括包含DRAM单元和含有第二键合接触部的第二键合层的第二半导体结构。半导体器件还包括包含处理器、SRAM单元和含有第三键合接触部的第三键合层的第三半导体结构。半导体器件还包括在第一和第三键合层之间的第一键合界面，以及在第二和第三键合层之间的第二键合界面。第一键合接触部在第一键合界面处与第一组第三键合接触部接触。第二键合接触部在第二键合界面处与第二组第三键合接触部接触。第一键合界面和第二键合界面在同一平面中。

【技术实现步骤摘要】
具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法本申请是申请日为2019年9月11日、申请号为201980002051.9、名称为“具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法”的专利技术专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求享有2019年4月15日提交的名称为“Integrationofthree-dimensionalNANDmemorydeviceswithmultiplefunctionalchips(三维NAND存储器器件与多功能芯片的集成)”的国际申请No.PCT/CN2019/082607，2019年7月24日提交的名称为“Bondedunifiedsemiconductorchipsandfabricationandoperationmethodsthereof(键合的一体化半导体芯片及其制造和操作方法)”的国际专利申请No.PCT/CN2019/097442，以及2019年4月30日提交的名称为“Three-dimensionalmemorydevicewithembeddeddynamicrondom-accessmem本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n第一半导体结构，所述第一半导体结构包括NAND存储器单元的阵列、第一外围电路和包含多个第一键合接触部的第一键合层，所述第一外围电路中的至少一部分外围电路和所述NAND存储器单元的阵列形成在不同的平面中；/n第二半导体结构，所述第二半导体结构包括动态随机存取存储器DRAM单元的阵列、第二外围电路和包含多个第二键合接触部的第二键合层，所述第二外围电路中的至少一部分外围电路和所述DRAM单元的阵列形成在不同的平面中；/n第三半导体结构，所述第三半导体结构包括处理器、静态随机存取存储器SRAM单元的阵列、以及包含多个第三键合接触部的第三键合层，所述SRAM单元的阵列设置在...

【技术特征摘要】
20190415 CN PCT/CN2019/082607;20190430 CN PCT/CN201.一种半导体器件，包括：
第一半导体结构，所述第一半导体结构包括NAND存储器单元的阵列、第一外围电路和包含多个第一键合接触部的第一键合层，所述第一外围电路中的至少一部分外围电路和所述NAND存储器单元的阵列形成在不同的平面中；
第二半导体结构，所述第二半导体结构包括动态随机存取存储器DRAM单元的阵列、第二外围电路和包含多个第二键合接触部的第二键合层，所述第二外围电路中的至少一部分外围电路和所述DRAM单元的阵列形成在不同的平面中；
第三半导体结构，所述第三半导体结构包括处理器、静态随机存取存储器SRAM单元的阵列、以及包含多个第三键合接触部的第三键合层，所述SRAM单元的阵列设置在所述处理器的外部；
第一键合界面，所述第一键合界面在所述第一键合层和所述第三键合层之间，所述第一键合接触部在所述第一键合界面处与第一组所述第三键合接触部接触；以及
第二键合界面，所述第二键合界面在所述第二键合层和所述第三键合层之间，所述第二键合接触部在所述第二键合界面处与第二组所述第三键合接触部接触，
其中所述第一键合界面和所述第二键合界面在同一平面中。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外围电路中的至少一部分外围电路在所述第三半导体结构中。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外围电路中的至少一部分外围电路和所述NAND存储器单元的阵列彼此堆叠。


4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：程卫华，刘峻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42