一种硅片处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种硅片处理设备。硅片处理设备包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子；电磁控制器设置于反应槽外侧，搅拌加热转子设置于反应槽内，搅拌加热转子的位置对应电磁控制器设置，以通过电磁控制器控制搅拌加热转子；搅拌加热转子包括搅拌部和加热部，搅拌部包括永磁体，加热部包括金属材料。本发明专利技术通过设置电磁控制器和搅拌加热转子，可以通过电磁控制器与搅拌加热转子的搅拌部相配合，实现对于反应槽中反应液的搅拌，通过电磁控制器与搅拌加热转子的加热部相配合，实现对于反应槽中反应液的加热，有助于提高对于反应槽中反应液加热的均匀程度，通过一组设备同时实现加热和搅拌两个功能，也有助于降低设备的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片处理设备
本专利技术涉及半导体加工检测
，尤其涉及一种硅片处理设备。
技术介绍
硅片生产加工过程中的多个步骤中，均需要利用刻蚀工艺对硅片进行处理。相关技术中，通常利用加热管对刻蚀液进行加热，加热较为不均匀，可能影响对于硅片的处理效果。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种硅片处理设备，以解决现有硅片处理设备可能影响对于硅片的处理效果的问题。本专利技术实施例提供了一种硅片处理设备，包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子；所述电磁控制器设置于所述反应槽外侧，所述搅拌加热转子设置于所述反应槽内，且所述搅拌加热转子的位置对应所述电磁控制器设置，以通过所述电磁控制器控制所述搅拌加热转子；所述搅拌加热转子包括搅拌部和加热部，所述搅拌部包括永磁体，所述加热部包括金属材料。在一些实施例中，所述搅拌部和所述加热部可转动连接。在一些实施例中，所述搅拌部和所述加热部通过转轴可转动连接，所述电磁控制器用于驱动所述搅拌部绕所述转轴自转。在一些实施例中，所述搅拌部在垂直于所述转轴的方向上的横本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片处理设备，其特征在于，包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子；/n所述电磁控制器设置于所述反应槽外侧，所述搅拌加热转子设置于所述反应槽内，且所述搅拌加热转子的位置对应所述电磁控制器设置，以通过所述电磁控制器控制所述搅拌加热转子；/n所述搅拌加热转子包括搅拌部和加热部，所述搅拌部包括永磁体，所述加热部包括金属材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片处理设备，其特征在于，包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子；
所述电磁控制器设置于所述反应槽外侧，所述搅拌加热转子设置于所述反应槽内，且所述搅拌加热转子的位置对应所述电磁控制器设置，以通过所述电磁控制器控制所述搅拌加热转子；
所述搅拌加热转子包括搅拌部和加热部，所述搅拌部包括永磁体，所述加热部包括金属材料。


2.根据权利要求1所述的硅片处理设备，其特征在于，所述搅拌部和所述加热部可转动连接。


3.根据权利要求2所述的硅片处理设备，其特征在于，所述搅拌部和所述加热部通过转轴可转动连接，所述电磁控制器用于驱动所述搅拌部绕所述转轴自转。


4.根据权利要求3所述的硅片处理设备，其特征在于，所述搅拌部在垂直于所述转轴的方向上的横截面的至少部分与所述加热部在垂直于所述转轴的方向上的横截面不重叠。


5.根据权利要求2至4中任一项所述的硅片处理设备，其特征在于，所述加热部的密度小于反应槽中液体的密度，所述搅拌部的密度大于反应槽中液...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓鹏，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，西安奕斯伟材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61