一种单晶硅片的单面制绒工艺及太阳能电池片的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种单晶硅片的单面制绒工艺，包括以下步骤：A)将掩膜胶液涂覆至单晶硅片的背面，得到背面有掩膜涂层的单晶硅片；所述掩膜胶液包括以下重量份数的组分：氧化硅：0.1～1份，助剂：0.5～2份，木质素纤维：0.1～1份，阿拉伯胶：10～100份；B)将所述背面有掩膜涂层的单晶硅片在碱性试剂中制绒后进行酸洗，去除掩膜涂层，得到单面制绒的单晶硅片。本发明专利技术以氧化硅和树脂为主要成分，在很低的温度下即可制备得到掩膜涂层，能耗小，起阻挡和掩膜作用的为树脂及氧化硅，阻挡效果更好，氧化硅除起到掩膜左右，对后续掩膜去除也起到助溶效果。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片的单面制绒工艺及太阳能电池片的制备方法
本专利技术属于光伏太阳能电池
，尤其涉及一种单晶硅片的单面制绒工艺及太阳能电池片的制备方法。
技术介绍
目前光伏产业中的电池根据基体的材料不同可以分为晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池，其中晶体硅电池发展相对成熟，成本及效率仍有很大提升空间，是目前市场的主流。单纯的晶体硅可以产生的自由电子和空穴数目远远无法满足光伏发电的需要，因此通常采用的技术为在纯净的硅中进行掺杂，在其中掺杂磷元素形成N型半导体，在其中掺杂硼元素形成P型半导体。目前市场上的主流电池片包括单晶PERC、单晶PERC+SE、N型双面、TOPcon、HIT(异质结)、IBC等几种电池。P型电池由于工艺简单且目前效率与N型差距不大但在成本上具有领先优势而具有明显的性价比，在市场中有着绝对领先地位。PECR技术是在传统铝背场电池(在硅片背部制备铝膜，形成铝背场，减少少数载流子的复合速度同时充当金属电极)的基础上，在硅片背面和背铝中间再加入一层电介质钝化层，形成氧化铝/氮化硅叠层钝化结构，同时通过在钝化层上激光刻蚀开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅片的单面制绒工艺，包括以下步骤：/nA)将掩膜胶液涂覆至单晶硅片的一面，得到单面有掩膜涂层的单晶硅片；/n所述掩膜胶液包括以下重量份数的组分：/n氧化硅：0.1～1份，助剂：0.5～2份，木质素纤维：0.1～1份，阿拉伯胶：10～100份；/nB)将所述单面有掩膜涂层的单晶硅片在碱性试剂中制绒后进行酸洗，去除掩膜涂层，得到单面制绒的单晶硅片。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片的单面制绒工艺，包括以下步骤：
A)将掩膜胶液涂覆至单晶硅片的一面，得到单面有掩膜涂层的单晶硅片；
所述掩膜胶液包括以下重量份数的组分：
氧化硅：0.1～1份，助剂：0.5～2份，木质素纤维：0.1～1份，阿拉伯胶：10～100份；
B)将所述单面有掩膜涂层的单晶硅片在碱性试剂中制绒后进行酸洗，去除掩膜涂层，得到单面制绒的单晶硅片。


2.根据权利要求1所述的单面制绒工艺，其特征在于，所述步骤A)中的涂覆工艺为旋涂，所述旋涂的温度为20～30℃。


3.根据权利要求1所述的单面制绒工艺，其特征在于，所述助剂包括助溶剂和氟碳表面活性剂；
所述助溶剂为有机酸盐助溶剂，所述助溶剂和氟碳表面活性剂的质量比为1：(2～10)。


4.根据权利要求1所述的单面制绒工艺，其特征在于，所述掩膜涂层的厚度为1～10μm。


5.根据权利要求1所述的单面制绒工艺，其特征在于，将氧化硅、助剂、木质素纤维和阿拉伯胶按照比例混合，加热至50～70℃，搅拌5～10min，得到掩膜胶液。


6.根据权利要求1所述的单面制绒工艺，其特征在于，所述步骤B)使用HF水溶液进行酸洗，所述HF水溶液的质量浓度为10～20...

【专利技术属性】
技术研发人员：马玉超，余浩，张晓攀，单伟，何胜，徐伟智，
申请(专利权)人：浙江正泰太阳能科技有限公司，海宁正泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33