【技术实现步骤摘要】
一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备及工艺
本专利技术涉及电池加工
，具体为一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备及工艺。
技术介绍
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的期间，当太阳光照射在半导体PN结上，形成电子-空穴对，在PN结电场作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后形成电流。传统晶硅太阳能电池只采用正面钝化技术，在硅片正表面沉积SiNx膜层实现太阳能电池表面钝化和减反射，可以降低少子在前表面的复合速率，大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳能电池的转换效率。同时目前的TOPCon工艺实现方式众多，但大多存在着工艺时间长，制备效率低的问题，速度较快的PECVD方式一致存在一个问题，SiO2层的厚度在1-5nm之间，镀后续的Poly层的时候等离子体携带着巨大能量，很容易将SiO2层击穿，这样就使SiO2层失去了量子隧穿效应，也就意味着TOPCon工艺提升转换效率的降低甚至失败。
【技术保护点】
1.一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备，包括炉门(1)与炉体(5)，其特征在于：所述炉门(1)的右侧安装有第一法兰(2)，且第一法兰(2)的右侧设置有第一固定板(4)，该第一固定板(4)的上端开设有第一冷却水出口(3)，所述炉体(5)的内部填充有石英管(6)，且该炉体(5)的左下角分别开设有进气口(17)与第二冷却水进口(16)，所述炉体(5)的右上角安装有第二固定板(7)，且该第二固定板(7)的右端安装有第二法兰(8)，所述炉后门(9)的中间位置安装有电极(10)，且炉后门(9)通过电极(10)与电源(11)连接，所述炉后门(9)的右侧还连接有过滤装置...
【技术特征摘要】
1.一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备，包括炉门(1)与炉体(5)，其特征在于：所述炉门(1)的右侧安装有第一法兰(2)，且第一法兰(2)的右侧设置有第一固定板(4)，该第一固定板(4)的上端开设有第一冷却水出口(3)，所述炉体(5)的内部填充有石英管(6)，且该炉体(5)的左下角分别开设有进气口(17)与第二冷却水进口(16)，所述炉体(5)的右上角安装有第二固定板(7)，且该第二固定板(7)的右端安装有第二法兰(8)，所述炉后门(9)的中间位置安装有电极(10)，且炉后门(9)通过电极(10)与电源(11)连接，所述炉后门(9)的右侧还连接有过滤装置(15)，该过滤装置(15)的右端上下两侧分别开设有第二冷却水出口(12)与第一冷却水进口(14)。
2.根据权利要求1所述的一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备，其特征在于：所述第二冷却水进口(16)安装于进气口(17)的右侧。
3.根据权利要求1所述的一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备，其特征在于：所述电极(10)的正负极分别连接至电源(11)的正极接线端与负极接线端上。
4.根据权利要求1所述的一种基于等离子体增强辅助技术制备TOPCon电池的设备，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵玉林，陶俊，王雪楠，姚丽英，刘永法，
申请(专利权)人：无锡琨圣智能装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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