氢辅助的大气自由基氧化制造技术

提供了用于处理工件的装置、系统和方法。在一个示例实施中，与惰性气体混合的氢气可与氧气反应以在大气压下氧化工件。由热工件表面促进的氢气与氧气的化学反应可积极影响氧化工艺。化学反应的反应速度可通过将氢气与惰性气体混合减慢。这种混合物可有效降低氢气的分压。正因如此，氧化工艺可在大气压，从而，在大气热处理腔室中进行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氢辅助的大气自由基氧化优先权声明本申请要求于2019年4月30日提交的名称为“HydrogenAssistedAtmosphericRadicalOxidation(氢辅助的大气自由基氧化)”的美国临时申请系列号62/840,757的优先权的权益，其通过引用并入本文。
本公开大体上涉及处理半导体工件。
技术介绍
许多半导体工艺(例如，氧化工艺)要求工件(例如，半导体晶片)被加热至高温，以便各种化学和物理转变可随着将工件制造为器件发生。在快速热处理期间，例如，半导体晶片可经由通过支撑板的灯阵列加热到约300℃至约1,200℃的温度，进行通常小于几分钟的时间。
技术实现思路
本公开的方面和优点将部分在以下描述中陈述，或可通过本公开的实践而得知。本公开的一个示例方面涉及用于处理工件的方法。方法可包括将工件放置在热处理腔室中。方法可包括允许第一气体以第一流速进入热处理腔室。热处理腔室可在近似大气压下。第一气体可包括惰性气体和氢气的混合物，并且混合物中氢气的浓度可按体积计小于约4％。方法可包括在热处理腔室中用一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理工件的方法，所述方法包括：/n将工件放置在热处理腔室中；/n允许第一气体以第一流速进入热处理腔室，热处理腔室在近似大气压下，第一气体包括惰性气体和氢气的混合物，混合物中氢气的浓度按体积计小于约4％；/n在热处理腔室中用一个或多个热源将工件加热；和/n在热处理腔室中在近似大气压下将工件暴露于第一气体；/n其中第一流速使得热处理腔室中氢气的分压小于约10托。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190430 US 62/840,7571.一种用于处理工件的方法，所述方法包括：
将工件放置在热处理腔室中；
允许第一气体以第一流速进入热处理腔室，热处理腔室在近似大气压下，第一气体包括惰性气体和氢气的混合物，混合物中氢气的浓度按体积计小于约4％；
在热处理腔室中用一个或多个热源将工件加热；和
在热处理腔室中在近似大气压下将工件暴露于第一气体；
其中第一流速使得热处理腔室中氢气的分压小于约10托。


2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
允许第二气体进入热处理腔室，第二气体包括第二流速的氧；和
在热处理腔室中在近似大气压下将工件暴露于第二气体，同时将工件加热以至少局部氧化部分工件。


3.根据权利要求2所述的方法，其中第二流速使得热处理腔室中氧的分压在约30托至约50托的范围内。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体包括氩气，混合物中氢气的浓度按体积计小于约3％。


5.根据权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体包括氮气，混合物中氢气的浓度按体积计小于约4％。


6.根据权利要求2所述的方法，其中第一流速和第二流速的总流速小于约350slm。


7.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括允许稀释气体进入热处理腔室，稀释气体配置为稀释第一气体和第二气体。


8.根据权利要求7所述的方法，其中所述稀释气体不同于第一气体中的惰性气体。


9.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括允许第三气体进入热处理腔室，第三气体包括氨气。


10.根据权利要求1所述的方法，其中将工件加热进一步包括用一个或多个热源加热工件的第一表面和相对的第二表面。


11.根据权利要求2所述的方法，其中在近似大气压下由在第一气体和第二气体之间的反应生成的水蒸汽被...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓晅，克里斯蒂安·普法勒，亚历山大·科斯塞夫，
申请(专利权)人：玛特森技术公司，北京屹唐半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US