薄膜形成装置及使用其的薄膜形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种薄膜形成装置和使用其的薄膜形成方法，其能够通过在薄膜形成装置的处理腔室中划分反应空间，从而在第一空间中在衬底上形成硅薄膜并在第二空间中通过使用等离子体对在第一空间中形成的硅薄膜的表面进行处理来改善硅薄膜的膜质量。通过根据本公开的薄膜形成装置和使用其的薄膜形成方法，在图案复杂化且图案深度增大的趋势下，可以更有效地去除薄膜中的杂质，可以在图案上形成均匀的薄膜，并且可以使硅薄膜的晶体的晶粒尺寸均匀。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜形成装置及使用其的薄膜形成方法
各个实施例总体上涉及一种薄膜形成装置和使用该薄膜形成装置的薄膜形成方法，并且更具体地，涉及一种能够通过在薄膜形成装置的处理腔室中划分反应空间以及因此在第一空间中在衬底上形成硅薄膜并且在第二空间中通过使用等离子体对在第一空间中形成的硅薄膜的表面进行处理来改善硅薄膜的膜质量的薄膜形成装置和使用该薄膜形成装置的薄膜形成方法。
技术介绍
通常，为了在诸如半导体晶片、玻璃等的衬底上形成具有预定厚度的薄膜，使用了利用物理碰撞(诸如溅射)的物理气相沉积(PVD)、利用化学反应的化学气相沉积(CVD)以及原子层沉积(ALD)等薄膜形成方法。对于CVD，可以使用大气压CVD(APCVD)、低压CVD(LPCVD)和等离子体增强CVD(PECVD)。其中，PECVD由于可以进行低温沉积并且薄膜形成速度快的优点而被广泛使用。另外，正在增加ALD的使用，该ALD可以基本均匀地形成具有原子层厚度的精细图案并且具有优异的阶梯覆盖率。图1是有助于说明根据常规技术的硅薄膜形成方法的流程图的示例的代表。参考图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜形成装置，包括：/n处理腔室，其提供反应空间；/n衬底支撑件，其安装在所述处理腔室中并且支撑衬底；/n腔室盖，其覆盖所述处理腔室的顶部；以及/n气体注入模块，其安装在所述腔室盖的底表面上，并向所述衬底注入处理气体，/n所述反应空间包括：/n第一空间，其用于在所述衬底上形成硅薄膜；以及/n第二空间，其用于通过使用等离子体来处理形成有所述硅薄膜的所述衬底的表面，/n其中，所述衬底通过所述衬底支撑件的旋转而被移动到所述第一空间和所述第二空间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180821 KR 10-2018-00976711.一种薄膜形成装置，包括：
处理腔室，其提供反应空间；
衬底支撑件，其安装在所述处理腔室中并且支撑衬底；
腔室盖，其覆盖所述处理腔室的顶部；以及
气体注入模块，其安装在所述腔室盖的底表面上，并向所述衬底注入处理气体，
所述反应空间包括：
第一空间，其用于在所述衬底上形成硅薄膜；以及
第二空间，其用于通过使用等离子体来处理形成有所述硅薄膜的所述衬底的表面，
其中，所述衬底通过所述衬底支撑件的旋转而被移动到所述第一空间和所述第二空间。


2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其中，所述第一空间是硅形成区域，在所述硅形成区域中，通过化学气相沉积CVD、原子层沉积ALD或选择性外延生长在所述衬底上形成所述硅薄膜。


3.根据权利要求2所述的薄膜形成装置，其中，所述硅薄膜为非晶硅薄膜、晶体硅薄膜或单晶硅薄膜。


4.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其中，所述第二空间是等离子体处理区域，在所述等离子体处理区域中，使形成在所述衬底上的所述硅薄膜暴露于惰性气体的等离子体中，以去除所述硅薄膜中的杂质或使所述硅薄膜的晶粒尺寸均匀。


5.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其中，所述气体注入模块包括：
源气体注入部件，其在所述第一空间中向所述衬底注入源气体；
等离子体气体注入部件，其在所述第二空间中向所述衬底注入等离子体气体；以及
净化气体注入部件，其在所述第一空间与所述第二空间之间注入净化气体。


6.根据权利要求5所述的薄膜形成装置，还包括：
反应气体注入部件，其在所述第一空间中向所述衬底注入反应气体。


7.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其中，所述硅薄膜的厚度为1至


8.根据权利要求5所述的薄膜形成装置，
其中，所述源气体注入部件包括多个源气体注入器，以及
其中，所述多个源气体注入器注入相同的源气体或不同的源气体。


9.一种薄膜形成方法，包括：
硅薄膜形成步骤，其通过在处理腔室中的第一空间中在衬底上供应硅源气体来形成硅薄膜；
第一净化气体供应步骤，其供应第一净化气体；
等离子体表面处理步骤，其通过在所述处理腔室中的第二空间中使用等离子体来处理所述硅薄膜的表面，以去除所述硅薄膜中的杂质或使所述硅薄膜的晶粒尺寸均匀；以及
第...

【专利技术属性】
技术研发人员：具泍会，黄喆周，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR