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本发明涉及一种薄膜形成装置和使用其的薄膜形成方法，其能够通过在薄膜形成装置的处理腔室中划分反应空间，从而在第一空间中在衬底上形成硅薄膜并在第二空间中通过使用等离子体对在第一空间中形成的硅薄膜的表面进行处理来改善硅薄膜的膜质量。通过根据本公开...
该专利属于周星工程股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过周星工程股份有限公司授权不得商用。

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