【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子束装置
本专利技术涉及使用电子束来观察试样的电子束装置，特别地，涉及通过利用向试样的光照射来控制对比度的图像从而观察、检查、测量试样的技术。
技术介绍
作为能够进行试样的扩大观察的显微镜，存在使用了电子束的电子显微镜，被用于纳米等级的微细的形状观察、组成解析。特别地，扫描型电子显微镜(以下，省略为SEM(ScanningElectronMicroscope))具有不限制于试样尺寸而能够解析从毫米级的低倍率到纳米级的高倍率的特征，从材料的形状、组成解析，广泛利用于半导体设备的微细图案的测量检查等。电子设备、环境材料的性能指标中，存在电气特性、光化学反应、热传导性等，但决定本性能的物性是电子物性。这些电子设备、环境材料的高性能化中，纳米、微米尺度的构造带来的电子物性的解析以及电子状态的瞬态解析变得重要。电子物性中包含能量带构造、载流子密度、接合状态等。此外，电子状态的瞬态变化中包含基于载流子激励的能量带构造的变化、载流子寿命、载流子移动等。代表性的电子物性的分析法存在光电子分光法。本手法是利用了电子与光的相互...
【技术保护点】
1.一种电子束装置，具有：/n电子光学系统，向试样照射电子束，对从试样释放的释放电子进行检测；/n光脉冲照射系统，向所述试样照射光脉冲；/n同步处理部，在所述电子光学系统中，与所述电子束的偏转信号同步地进行所述释放电子的检测采样；/n图像信号处理部，根据基于所述电子光学系统所检测到的所述释放电子而输出的检测信号来形成图像；和/n装置控制部，设定所述电子光学系统的控制条件，/n若将所述电子束扫描相当于所述图像的一个像素的所述试样的区域所需的时间设为单位像素时间，则所述装置控制部将进行所述释放电子的检测采样的采样频率设定为比每个所述单位像素时间的所述光脉冲的照射数除以所述单位像...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子束装置，具有：
电子光学系统，向试样照射电子束，对从试样释放的释放电子进行检测；
光脉冲照射系统，向所述试样照射光脉冲；
同步处理部，在所述电子光学系统中，与所述电子束的偏转信号同步地进行所述释放电子的检测采样；
图像信号处理部，根据基于所述电子光学系统所检测到的所述释放电子而输出的检测信号来形成图像；和
装置控制部，设定所述电子光学系统的控制条件，
若将所述电子束扫描相当于所述图像的一个像素的所述试样的区域所需的时间设为单位像素时间，则所述装置控制部将进行所述释放电子的检测采样的采样频率设定为比每个所述单位像素时间的所述光脉冲的照射数除以所述单位像素时间得到的值大。
2.根据权利要求1所述的电子束装置，其中，
以通过所述装置控制部而设定的采样频率，按每一个像素而将基于所述电子光学系统所检测到的所述释放电子而输出的所述检测信号平均化，在所述图像信号处理部中形成所述图像。
3.根据权利要求1所述的电子束装置，其中，
所述电子束装置具有：光脉冲照射设定部，对所述光脉冲照射系统的控制条件进行设定，
作为所述光脉冲照射系统的控制条件，包含所述光脉冲的波长、强度、照射时间宽度以及照射间隔时间。
4.根据权利要求3所述的电子束装置，其中，
所述光脉冲照射设定部对第1光照射条件、以及与所述第1光照射条件不同的第2光照射条件进行设定，
所述图像信号处理部形成第1检测信号与第2检测信号的差图像，所述第1检测信号是基于在所述第1光照射条件下将所述光脉冲向所述试样照射从而所述电子光学系统所检测到的所述释放电子而输出的信号，所述第2检测信号是基于在所述第2光照射条件下将所述光脉冲向所述试样照射从而所述电子光学系统所检测到的所述释放电子而输出的信号。
5.根据权利要求4所述的电子束装置，其中，
所述图像信号处理部基于所述第1检测信号与所述第2检测信号的差分值来形成所述差图像，或者进行根据所述第1检测信号而形成的第1图像与根据所述第2检测信号而形成的第2图像的差分处理来形成所述差图像。
6.根据权利要求4所述的电子束装置，其中，
进行通过所述装置控制部而设定的所述释放电子的检测采样的采样频率对于所述第1光照射条件以及所述第2光照射条件的任何条件，都比每所述单位像素时间的所述光脉冲的照射数除以所述单位像素时间得到的值大。
7.根据权利要求4所述的电子束装置，其中，
所述电子束装置具有图像显示部，
所述装置控制部在所述图像显示部显示所述差图像。
8.根据权利要求4所述的电子束装置，其中，
所述光脉...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄子美南，津野夏规，扬村寿英，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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