一种嵌入式薄膜传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种嵌入式薄膜传感器，包括依次连接金属基底层、基底粘接层、绝缘层、上粘接层、种子层、封装层，传感器电路层嵌入在绝缘层中，传感器电路的焊盘裸露在外用于连接。本发明专利技术采用嵌入式结构使传感器得到完全的保护，满足更加恶劣条件下的使用；绝缘层复合结构既解决了单纯采用电子束蒸发淀积的氧化铝作为绝缘层不能实现绝缘功能的难题，同时解决了单纯采用等离子增强化学气相沉积工艺淀积的氮化硅在高温使用条件下易与金属基底发生反应而导致绝缘失败的难题，同时也解决了应对高温条件单纯采用原子层堆积淀积一定厚度绝缘层所花费的大量时间和成本问题，原子层淀积厚10‑500nm氧化铝属正常范围；防护层制作工艺简单、时间短、成本低、强度高。

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式薄膜传感器
本专利技术涉及一种嵌入式薄膜传感器，主要应用于恶劣环境中，属于薄膜传感器

技术介绍
随着工业互联网及智能制造的产业升级，制造过程实时监控已经变得越来越重要，一方面不仅可以通过制造过程中关键工艺参数的获取来改进产品质量、提升生产效率，同时还可以提前发现问题并及时进行干预从而避免恶性事故的发生。作为获取关键工艺参数等数据的传感器扮演着十分重要的角色，然而传统传感器由于尺寸大，很难接近待测点，即便通过不同的安装方式接触待测点，对于原有物理场的破坏也很大，破坏了检测的真实性；同时由于传统传感器响应慢，有很大的滞后性，很难满足现场实时监测的需求。于是薄膜传感器应运而生，借助其尺寸小、响应快的特点，能够提供较高的空间分辨率和时间分辨率，使得现场的监控更真实、更及时。但是常规基于硅基底的薄膜传感器由于基底材料的脆性和不耐高温等缺点，很难应用到高温、高压、大应变以及腐蚀性的场合。为了解决上述问题，基于金属基底的薄膜传感器被开发出来，为了应对外界环境中的刮擦、磨损等破坏，还需对传感器进行防护，通常的办法是采用物理气相沉积或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种嵌入式薄膜传感器，其特征在于：包括依次连接金属基底层、基底粘接层、绝缘层、上粘接层、种子层、封装层，传感器电路层嵌入在绝缘层中，传感器电路的焊盘裸露在外用于连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式薄膜传感器，其特征在于：包括依次连接金属基底层、基底粘接层、绝缘层、上粘接层、种子层、封装层，传感器电路层嵌入在绝缘层中，传感器电路的焊盘裸露在外用于连接。


2.根据权利要求1所述的嵌入式薄膜传感器，其特征在于：所述粘接层为通过溅射工艺在金属基底上淀积一层5～50nm的金属钛层或金属铬层，用于提高绝缘层与金属基底之间的粘接性。


3.根据权利要求1所述的嵌入式薄膜传感器，其特征在于：所述绝缘层为通过电子束蒸发工艺在粘接层上淀积的一层厚0.2～5um氧化铝第一绝缘层；通过等离子增强化学气相淀积工艺在氧化铝第一绝缘层上淀积的一层厚0.5～5um氮化硅第二绝缘层；或者通过原子层堆积工艺在氧化铝第一绝缘层上淀积的一层厚10～500nm的氧化铝第二绝缘层；通过电子束蒸发工艺在氮化硅第二绝缘层上或者氧化铝第二绝缘层上淀积一层厚0.2～5um的氧化铝第三绝缘层。


4.根据权利要求1所述的嵌入式薄膜传感器，其特征在于：所述传感器电路层嵌入在绝缘层中是指：通过光刻、溅射、剥离工艺在氧化铝第三绝缘层上淀积传感器电路层；借助金属掩膜版，通过电子束蒸发工艺在除传感器电路焊盘外的区域上，淀积一层0.2～5um的氧化铝第四绝缘层。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建峰，
申请(专利权)人：曹建峰，
类型：发明
国别省市：安徽;34