一种高频近零频率温度系数的窄带滤波器及制造方法技术

本发明专利技术涉及一种高频近零频率温度系数的窄带滤波器及制造方法。该窄带滤波器包括：高声速材料衬底层；形成在高声速材料衬底层之上的欧拉角为(90°,90°,40°)厚度为mλ的LGS低声速材料层；形成在LGS低声速材料层之上的具有c轴取向的厚度为0.1λ的单晶AlN高声速材料压电层，具有c轴取向的单晶AlN高声速材料压电层的；以及设在具有c轴取向的单晶AlN高声速材料压电层上的IDT电极，其中，λ是电极激发的声波波长。本发明专利技术可实现零TCF值或近零TCF值、高Q值、低机电耦合系数、无杂散的谐振器。

【技术实现步骤摘要】
一种高频近零频率温度系数的窄带滤波器及制造方法
本专利技术涉及声波谐振器/滤波器，尤其涉及手机射频前端中的一种高频近零频率温度系数的窄带滤波器及其制造方法。
技术介绍
随着无线通讯应用的发展，人们对于数据传输速度的要求也越来越高。相对应的是频谱资源的高利用率以及通讯协议的复杂化。为了在有限的带宽内支持足够的数据传输率，对于射频系统的各种性能提出了严格的要求。在射频前端模块中，滤波器起着至关重要的作用。它可以将带外干扰和噪声滤除以满足射频系统和通讯协议对于信噪比的需求。在5G时代为了实现高带宽，载波聚合技术的路数必须上升，也意味着手机需要支持的频带数目不断上升，由于每一个频带有需要有自己的滤波器，射频前端模块中滤波器的数量也越来越多，滤波器的设计越来愈有挑战性。滤波器领域目前有三大主流类型，分别是声表面波(SAW)、体声波(BAW)、以及薄膜体声波(FBAR)滤波器。而其中，SAW滤波器主要利用压电效应，当对晶体施以电压，晶体将发生机械形变，将电能转换为机械能。SAW是低频和中频段的主流，在1.5GHz以下使用非常合适，频本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种近零频率温度系数的窄带滤波器，包括：/n高声速材料衬底层；/n形成在所述高声速材料衬底层之上的LGS低声速材料层，所述LGS低声速材料层的欧拉角为(90°,90°,40°)，厚度为mλ，其中1.4≤m≤1.6；/n形成在所述LGS低声速材料层之上的具有c轴取向的单晶AlN高声速材料压电层，所述具有c轴取向的单晶AlN高声速材料压电层的厚度为0.1λ；以及/n设在所述具有c轴取向的单晶AlN高声速材料压电层上的电极，/n其中，λ是所述电极激发的声波波长。/n

【技术特征摘要】
1.一种近零频率温度系数的窄带滤波器，包括：
高声速材料衬底层；
形成在所述高声速材料衬底层之上的LGS低声速材料层，所述LGS低声速材料层的欧拉角为(90°,90°,40°)，厚度为mλ，其中1.4≤m≤1.6；
形成在所述LGS低声速材料层之上的具有c轴取向的单晶AlN高声速材料压电层，所述具有c轴取向的单晶AlN高声速材料压电层的厚度为0.1λ；以及
设在所述具有c轴取向的单晶AlN高声速材料压电层上的电极，
其中，λ是所述电极激发的声波波长。


2.如权利要求1所述的窄带滤波器，其特征在于，进一步包括更多层交替叠加的所述高声速材料衬底层和所述LGS低声速材料层，所述具有c轴取向的单晶AlN高声速材料压电层形成在最上层LGS低声速材料层之上。


3.如权利要求2所述的窄带滤波器，其特征在于，所述高声速材料衬底层和所述LGS低声速材料层各自的层数为n，n为2－9的整数。


4.如权利要求1所述的窄带滤波器，其特征在于，所述高声速材料衬底层的高声速材料选自Si、SiN、SiON、3C-SiC、W、4H-SiC或6H-SiC中的至少一种，厚度为5λ－10λ，所述LGS低声速材料层通过采用PECVD、CVD、MOCVD、MBE之一的方式镀在所述高声速材料衬底层上。


5.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李红浪，许欣，柯亚兵，
申请(专利权)人：广东广纳芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44