一种BAW体声波谐振器及其制备方法、滤波器技术

本发明专利技术公开了一种BAW体声波谐振器，所述BAW体声波谐振器包括基板以及从下到上依次分布设于基底上的下声反射层、压电叠层和上声反射层；其中，所述基底为包括位于中间的凹槽部分和位于周缘的凸起部分组成的圆台结构；下声反射层位于基底的上方，并与基底的凹槽之间形成空气腔；将下声反射层、上声反射层均为带有缓坡的圆台结构形成位于中间的工作区域以及位于周缘的非工作区域；当压电薄膜在工作中产生的热量通过下声反射层位于周缘的非工作区域传递到基底并散发出去，大大提高BAW体声波谐振器的散热性能。本发明专利技术提供了一种BAW体声波谐振器的制备方法和滤波器。

【技术实现步骤摘要】
一种BAW体声波谐振器及其制备方法、滤波器
本专利技术涉及滤波器，尤其涉及一种BAW体声波滤波器及其制备方法、滤波器。
技术介绍
BAW体声波滤波器是5G通讯领域中不可缺少的重要组成部分，其在射频前端的重要应用越来越多的影响到通信行业的发展。一般来说，BAW体声波滤波器是由多个体声波谐振器通过电学连接导体互联连接的；并且多个体声波谐振器会形成多种拓补结构。其中，每个体声波滤波器均具备串联谐振点和并联谐振点，一般作为带通滤波器使用，通过两个相位差为90度的体声波谐振器组成双工器；另外，体声波谐振器一般会采用薄膜体声波谐振器，其在信号的处理、传输、加载和收发等环节都具备有重要的应用。一般来说，根据BAW体声波滤波器的结构不同，可将其分为以下三种类型：硅背刻蚀型、空气隙型和固态装配型。其中，如图1所示，固态装配型的BAW体声波滤波器主要包括从下到上依次分布的基底101、空气腔102、位于基底101上的FBAR(薄膜体声波谐振器)叠层、覆盖FBAR叠层的密封剂121以及该FBAR叠层的顶面113和密封剂121之间的声波布拉格反射器190。其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种BAW体声波谐振器，其特征在于，所述BAW体声波谐振器包括基板以及从下到上依次分布设于基底上的下声反射层、压电叠层和上声反射层；其中，所述基底为包括位于中间的凹槽部分和位于周缘的凸起部分组成的圆台结构；下声反射层位于基底的上方，并与基底的凹槽之间形成空气腔；/n所述压电叠层设于下声反射层上，包括从下到上依次分布的底电极、压电薄膜和顶电极；底电极与顶电极均为带缓坡的圆台结构，其纵向切面均为梯形、其底边的长度均小于压电薄膜的纵向切面的边长、其底边与腰的夹角均为锐角；同时，位于压电薄膜上的顶电极与位于压电薄膜下的底电极上下相对设置；/n其中，下声反射层、上声反射层均为带有缓坡的圆台结构，包括...

【技术特征摘要】
1.一种BAW体声波谐振器，其特征在于，所述BAW体声波谐振器包括基板以及从下到上依次分布设于基底上的下声反射层、压电叠层和上声反射层；其中，所述基底为包括位于中间的凹槽部分和位于周缘的凸起部分组成的圆台结构；下声反射层位于基底的上方，并与基底的凹槽之间形成空气腔；
所述压电叠层设于下声反射层上，包括从下到上依次分布的底电极、压电薄膜和顶电极；底电极与顶电极均为带缓坡的圆台结构，其纵向切面均为梯形、其底边的长度均小于压电薄膜的纵向切面的边长、其底边与腰的夹角均为锐角；同时，位于压电薄膜上的顶电极与位于压电薄膜下的底电极上下相对设置；
其中，下声反射层、上声反射层均为带有缓坡的圆台结构，包括位于中间部位的工作区域和位于边缘部位的非工作区域；其中，上声反射层的位于中间部位的工作区域、压电叠层的顶电极、压电薄膜、底电极、下声反射层的位于中间的工作区域依次从上到下设置于基底的凹槽部分上；上声反射层的位于边缘部位的非工作区域、压电薄膜以及下声反射层的位于边缘部位的非工作区域设于基底的凸起部分上；当压电薄膜在工作时所产生的热量可通过下声反射层的非工作区域传递到基底并散发出去。


2.根据权利要求1所述一种BAW体声波谐振器，其特征在于，所述下声反射层包括从下到上依次分布的第一下声反射层、第二下声反射层、第三下声反射层和第四下声反射层；第一下声反射层、第三下声反射层均为带有缓坡的圆台结构，第二下声反射层包括位于第一下声反射层上的带有缓坡的圆台结构和位于基底上的周缘部分，第四下声反射层包括位于第三下声反射层上的带有缓坡的圆台结构和位于第二下声反射层上的周缘部分；其中，下声反射层的工作区域由从下到上依次分布的第一下声反射层、第二下声反射层的带有缓坡的圆台结构、第三下声反射层、第三下声反射层的带有缓坡的圆台结构构成；下声反射层的非工作区域由从下到上依次分布的第二下声反射层的周缘部分和第四下声反射层的周缘部分构成；
其中，第一下声反射层的纵向切面、第三下声反射层的纵向切面、第二下声反射层的带有缓坡的圆台结构的纵向切面、第四下声反射层的带有缓坡的圆台结构的纵向切面的底角的角度均相同，并小于预设角度；所述预设角度为锐角；
第一下声反射层的厚度、第二下声反射层的厚度、第三下声反射层的厚度、第四下声反射层的厚度均相同，并等于所述压电叠层所产生的体声波的波长的四分之一。


3.根据权利要求2所述一种BAW体声波谐振器，其特征在于，所述上声反射层设于压电叠层上，包括从下到上依次分布的第一上声反射层、第二上声反射层、第三上声反射层和第四上声反射层；第一上声反射层的结构与第一下声反射层的结构相同、第二上声反射层的结构与第二下声反射层的结构相同、第三上声反射层的结构与第三下声反射层的结构相同、第四上声反射层的结构与第四下声反射层的结构相同。


4.根据权利要求3所述一种BAW体声波谐振器，其特征在于，第一下声反射层、第一上声反射层、第三下声反射层、第三上声反射层为高声阻抗布拉格声反射层；第二下声反射层、第二上声反射层、第四上声反射层、第四下声反射层为低声阻抗布拉格声反射层。


5.根据权利要求4所述一种BAW体声波谐...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44