闪存器件制作方法、闪存器件及电子设备技术

本申请公开了一种闪存器件制作方法、闪存器件及电子设备，该方法包括：提供一基板，基板包括第一介质层、第一导接体和第二导接体，第一导接体和第二导接体均设于第一介质层中，且第一导接体的第一端部显露于第一介质层的第一侧，第二导接体的第一端部显露于第一介质层的第二侧，第一导接体的第二端部与第二导接体的第二端部电连接；在第二导接体的第一端部形成字线层，且字线层的第三端部与第二导接体的第一端部接触连接，第二导接体的第一端部的宽度小于或等于字线层的第四端部的宽度；在第二侧形成包裹字线层的第二介质层，得到闪存器件；第二介质层背离第一介质层的一侧显露有字线层的第四端部的端面。这样可以提高闪存器件的可靠度。

【技术实现步骤摘要】
闪存器件制作方法、闪存器件及电子设备
本申请属于通信
，具体涉及一种闪存器件制作方法、闪存器件及电子设备。
技术介绍
在闪存器件的制作工艺中，字线具有最小的特征尺寸，且字线的特征尺寸与导电沟道孔的大小一同决定了闪存器件的存储区域的存储密度；其中，字线一般通过沟道接触孔和后段金属第一接触孔连接至导电沟道孔。然而在实际制作过程中，由于工艺制程中存在的对位误差，会使得相邻字线间的最小距离不可控，且当后段金属第一接触孔的尺寸稍大时，还会进一步降低相邻字线间的最小距离，从而使得闪存器件容易出现介质击穿、漏电流等现象，降低了闪存器件的可靠度。
技术实现思路
本申请旨在提供一种闪存器件制作方法、闪存器件及电子设备，至少解决现有的闪存器件存在的可靠度差的问题。为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：第一方面，本申请实施例提出了一种闪存器件制作方法，包括：提供一基板，所述基板包括第一介质层、第一导接体和第二导接体，所述第一导接体和所述第二导接体均设于所述第一介质层中，且所述第一导接体的第一端部显露于所述第一介质层的第一侧，所述第二导接体的第一端部显露于所述第一介质层的第二侧，所述第一导接体的第二端部与所述第二导接体的第二端部电连接，所述第一侧和所述第二侧为所述第一介质层的两相背侧；在所述第二导接体的第一端部形成字线层，且所述字线层的第三端部与所述第二导接体的第一端部接触连接，其中，所述第二导接体的第一端部的宽度小于或等于所述字线层的第三端部的宽度；在所述第二侧形成包裹所述字线层的第二介质层，得到闪存器件；其中，所述第二介质层背离所述第一介质层的一侧显露有所述字线层的第四端部的端面。第二方面，本申请实施例提出了一种闪存器件，包括：第一介质层、第二介质层、第一导接体、字线层和第二导接体，所述第一介质层与所述第二介质层叠设置，所述第一导接体设于所述第一介质层中，所述字线层设于所述第二介质层中；其中，所述第二导接体位于所述第一导接体与所述字线层之间，且所述第二导接体的第一端部与所述字线层电连接，所述第二导接部的第二端部与所述第一导接部电连接，所述第二导接体的第一端部的宽度小于或者等于所述字线层朝向所述第一介质层的第三端部的宽度。第三方面，本申请实施例提出了一种电子设备，包括第二方面所述的闪存器件。在本申请的实施例中，通过将第二导接体的第一端部的宽度设置为小于或等于字线层朝向第一介质层的第三端部的宽度，使得相邻的字线层的第三端部之间的间距可控，即可以调整其间距大小，进而降低字线层与第二导接体的对位误差带来的介质击穿及漏电流的风险，并提升闪存器件的可靠度。本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。附图说明本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是根据本申请实施例的闪存器件制作方法的流程图；图2是本申请实施例提供的闪存器件的结构示意图之一；图3是本申请实施例提供的闪存器件的结构示意图之二；图4是本申请实施例提供的闪存器件的结构示意图之三；图5是本申请实施例提供的闪存器件的结构示意图之四；图6是本申请实施例提供的闪存器件的结构示意图之五；图7是本申请实施例提供的闪存器件的结构示意图之六；图8是本申请实施例提供的闪存器件的结构示意图之七；图9是本申请实施例提供的闪存器件的结构示意图之八；图10是本申请实施例提供的闪存器件的结构示意图之九；图11是本申请实施例提供的闪存器件的结构示意图之十。附图标记：第一介质层10；蚀刻孔11；第一导接体20；第二导接体31；金属层32；导电层40；字线层41；第二介质层50；第三导接体60。具体实施方式下面将详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。如图1所示，本申请实施例提供一种闪存器件制作方法，包括以下步骤：步骤101、提供一基板。该步骤中，基板用于制作闪存器件。如图2所示，基板包括第一介质层10、第一导接体20和第二导接体31，第一导接体20和第二导接体31均设于第一介质层10中，且第一导接体20的第一端部显露于第一介质层10的第一侧，第二导接体31的第一端部显露于第一介质层10的第二侧，第一导接体20的第二端部与第二导接体31的第二端部电连接，第一侧和第二侧为第一介质层10的两相背侧。其中，第一介质层为绝缘材料制成，并具有绝缘特性。在一种可选的实施例中，可以通过蚀刻的方法，在第一介质层上形成用于设置导电线路的沟槽或者蚀刻孔；然后，通过填充或者沉积的方式在沟槽或者蚀刻孔内形成第一导接体。如图3所示，第一介质层10设有第一导接体20，且第一导接体20的第一端部显露于第一介质层10的第一侧。其中，第一导接体可以是闪存器件的导电沟道孔。示例性地，如图2所示，可以通过化学气相沉积或物理气相沉积或电镀的方式在第一介质层10上的第二侧的蚀刻孔11中形成第二导接体31，且形成的第二导接体31与第一导接体20电连接。示例性地，如图4所示，可以通过干法蚀刻的方式，对第一介质层10进行蚀刻，以在第一介质层10的第二侧形成蚀刻孔11。其中，在对第一介质层进行蚀刻之前，可以通过光刻形成掩模，以便在第一介质层上形成尺寸合适的蚀刻孔，提升蚀刻孔的蚀刻精度。进一步的，在利用干法蚀刻对第一介质层进行蚀刻的过程中，还可以选择适当的蚀刻选择比条件，以提高蚀刻孔的蚀刻精度，并达到提高闪存器件的制作精度。需要理解的是，在通过化学气相沉积或物理气相沉积或电镀的方式在蚀刻孔中形成第二导接体的过程中，还可以形成如图5所示的金属层32，金属层32覆盖于第一介质层10的第二侧；针对覆盖在第一介质层10的第二侧的金属层32，可以通过化学机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存器件制作方法，其特征在于，包括：/n提供一基板，所述基板包括第一介质层、第一导接体和第二导接体，所述第一导接体和所述第二导接体均设于所述第一介质层中，且所述第一导接体的第一端部显露于所述第一介质层的第一侧，所述第二导接体的第一端部显露于所述第一介质层的第二侧，所述第一导接体的第二端部与所述第二导接体的第二端部电连接，所述第一侧和所述第二侧为所述第一介质层的两相背侧；/n在所述第二导接体的第一端部形成字线层，且所述字线层的第三端部与所述第二导接体的第一端部接触连接，其中，所述第二导接体的第一端部的宽度小于或等于所述字线层的第三端部的宽度；/n在所述第二侧形成包裹所述字线层的第二介质层，得到闪存器件；/n其中，所述第二介质层背离所述第一介质层的一侧显露有所述字线层的第四端部的端面。/n

【技术特征摘要】
1.一种闪存器件制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板，所述基板包括第一介质层、第一导接体和第二导接体，所述第一导接体和所述第二导接体均设于所述第一介质层中，且所述第一导接体的第一端部显露于所述第一介质层的第一侧，所述第二导接体的第一端部显露于所述第一介质层的第二侧，所述第一导接体的第二端部与所述第二导接体的第二端部电连接，所述第一侧和所述第二侧为所述第一介质层的两相背侧；
在所述第二导接体的第一端部形成字线层，且所述字线层的第三端部与所述第二导接体的第一端部接触连接，其中，所述第二导接体的第一端部的宽度小于或等于所述字线层的第三端部的宽度；
在所述第二侧形成包裹所述字线层的第二介质层，得到闪存器件；
其中，所述第二介质层背离所述第一介质层的一侧显露有所述字线层的第四端部的端面。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二导接体的第一端部形成字线层，包括：
在所述第一介质层的第二侧形成导电层；
对所述导电层进行蚀刻处理，在所述第二导接体的第一端部形成字线层。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第二侧形成包裹所述字线层的第二介质层，得到闪存器件，包括：
在所述第二侧沉积得到第二介质层，所述第二介质层包裹所述字线层；
对所述第二介质层进行打磨处理，以在所述第二介质层背离所述第一介质层的一侧显露所述字线层的第四端部的端面，并得到闪存器件。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述导电层进行蚀刻处理，在所述第二导接体的第一端部形成字线层，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，
申请(专利权)人：维沃移动通信重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50