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本申请公开了一种闪存器件制作方法、闪存器件及电子设备，该方法包括：提供一基板，基板包括第一介质层、第一导接体和第二导接体，第一导接体和第二导接体均设于第一介质层中，且第一导接体的第一端部显露于第一介质层的第一侧，第二导接体的第一端部显露于第...
该专利属于维沃移动通信(重庆)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过维沃移动通信(重庆)有限公司授权不得商用。

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