【技术实现步骤摘要】
包括导电结构布局的设备
本公开大体上涉及导电结构(例如，导线、布线层)，并且更明确地，涉及半导体装置中的导电结构。
技术介绍
导电结构可以用于存储器装置中，包括易失性存储器，例如动态随机存取存储器(DRAM)。DRAM可以包括在高带宽存储器(HBM)中。HBM可以包括具有一或多个核心管芯和一或多个接口(IF)管芯的管芯(例如芯片)叠层。每个核心管芯可以包括由一或多个存储器单元组成的一或多个存储器阵列。核心管芯和/或IF管芯中的存储单元和/或其它结构可以通过一或多个导电结构彼此耦合。例如，导电结构可将一或多个存储器单元耦合到电压源。
技术实现思路
根据本申请的一个方面，提供了一种设备。所述设备包含：第一多个导电结构，其在第一维度上延伸，其中第一多个导电结构布置在多个行中；以及第一多个切口，其在与第一维度正交的第二维度上延伸，其中第一多个切口中的每一个设置在多个行中的至少一个行中，并且其中第一多个切口中的每一个在第一维度上彼此偏移第一距离。根据本申请的另一个方面，提供了一种设备。所述设备包含：第一布线...
【技术保护点】
1.一种设备，其包含：/n第一多个导电结构，其在第一维度上延伸，其中所述第一多个导电结构布置在多个行中；以及/n第一多个切口，其在与所述第一维度正交的第二维度上延伸，其中所述第一多个切口中的每一个设置在所述多个行中的至少一个行中，并且其中所述第一多个切口中的每一个在所述第一维度上彼此偏移第一距离。/n
【技术特征摘要】
20191002 US 16/590,5711.一种设备，其包含：
第一多个导电结构，其在第一维度上延伸，其中所述第一多个导电结构布置在多个行中；以及
第一多个切口，其在与所述第一维度正交的第二维度上延伸，其中所述第一多个切口中的每一个设置在所述多个行中的至少一个行中，并且其中所述第一多个切口中的每一个在所述第一维度上彼此偏移第一距离。
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：
第二多个导电结构，其在所述第二维度上延伸，其中所述第二多个导电结构布置在多个列中；以及
第二多个切口，其在所述第一维度上延伸，其中所述第二多个切口中的每一个设置在所述多个列中的至少一个列中，并且其中所述第二多个切口中的每一个在所述第二维度上彼此偏移第二距离，使得所述第二多个切口的图案与所述第一多个切口的图案正交。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一距离延伸所述第二多个导电结构的数个导电结构，并且所述第二距离延伸所述第一多个导电结构的数个导电结构。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二多个导电结构的导电结构的所述数量等于所述第一多个导电结构的导电结构的所述数量。
5.根据权利要求2所述的设备，其中设置有所述第一多个切口中的每一个的行的数量等于设置有所述第二多个切口中的每一个的列的数量。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第一多个导电结构和所述第二多个导电结构包含电源线，并且行的所述数量和列的所述数量至少部分地基于电源的数量。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一多个导电结构和所述第一多个切口设置在布线层中，并且所述设备进一步包含第二布线层，所述第二布线层平行于所述第一布线层并且在第三维度上从所述第一布线层偏移，其中所述第二布线层包括在所述第二维度上延伸的第二多个导电结构。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一多个导电结构中的至少一些耦合到所述第二多个导电结构中的至少一些。
9.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一布线层是通过镶嵌工艺形成。
10.一种设备，其包含：
第一布线层，其包含：
第一多个导电结构，其在第一维度上延伸；以及
第一切口图案，其包括第一多个切口，所述第一多个切口设置在所述第一多个导电结构中的导电结构之间，其中所述第一多个切口在与所述第一维度正交的第二维度上延伸；以及
第二布线层，其平行于所述第一布线层并且在第三维度上从所述第一布线层偏移，所述第二布线层包含：
第二多个导电结构，其在所述第二维度上延伸；以及
第二切口图案，其包括第二多个切口，所述第二多个切口与所述第一切口图案的第一多个切口正交，其中所述第二多个切口设置在所述第二多个导电结构中的导电结构之间，其中所述第二多个切口在所述第一维度上延伸。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一多个导电结构中的至少一些通过多个通孔耦合到所述第二多个导电结构中的至少一些，其中所述多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：松本博一，铃木亮太，国府田充树，佐藤诚，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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