包括导电结构布局的设备制造技术

本申请涉及包括导电结构布局的设备。本公开的实施例涉及导电结构中的一或多个“切口”或切口图案的布置。布线层可以各自包括切口图案，所述切口图案包括穿过所述布线层的导电结构的一组切口，其中所述切口中的每一个在与所述切口正交的方向上彼此偏移。布线层中的所述切口图案可以与另一布线层中的所述切口图案正交。在一些实例中，所述切口图案可以是阶梯图案。在一些实例中，所述切口图案可以被其它导电结构中断。

【技术实现步骤摘要】
包括导电结构布局的设备
本公开大体上涉及导电结构(例如，导线、布线层)，并且更明确地，涉及半导体装置中的导电结构。
技术介绍
导电结构可以用于存储器装置中，包括易失性存储器，例如动态随机存取存储器(DRAM)。DRAM可以包括在高带宽存储器(HBM)中。HBM可以包括具有一或多个核心管芯和一或多个接口(IF)管芯的管芯(例如芯片)叠层。每个核心管芯可以包括由一或多个存储器单元组成的一或多个存储器阵列。核心管芯和/或IF管芯中的存储单元和/或其它结构可以通过一或多个导电结构彼此耦合。例如，导电结构可将一或多个存储器单元耦合到电压源。
技术实现思路
根据本申请的一个方面，提供了一种设备。所述设备包含：第一多个导电结构，其在第一维度上延伸，其中第一多个导电结构布置在多个行中；以及第一多个切口，其在与第一维度正交的第二维度上延伸，其中第一多个切口中的每一个设置在多个行中的至少一个行中，并且其中第一多个切口中的每一个在第一维度上彼此偏移第一距离。根据本申请的另一个方面，提供了一种设备。所述设备包含：第一布线层，其包含：第一多个导电结构，其在第一维度上延伸；以及第一切口图案，其包括第一多个切口，第一多个切口设置在第一多个导电结构中的导电结构之间，其中第一多个切口在与第一维度正交的第二维度上延伸；以及第二布线层，其平行于所述第一布线层并且在第三维度上从第一布线层偏移，第二布线层包含：第二多个导电结构，其在第二维度上延伸；以及第二切口图案，其包括第二多个切口，第二多个切口与第一切口图案的第一多个切口正交，其中第二多个切口设置在第二多个导电结构中的导电结构之间，其中第二多个切口在所述第一维度上延伸。根据本申请的又一个方面，提供了一种设备。所述设备包含：多个核心芯片，核心芯片中的每一个包括存储器阵列；以及接口芯片，其耦合到多个核心芯片，其中接口芯片被配置成向多个核心芯片提供信号以执行存储器操作，其中接口芯片包含：第一多个导电结构，其在第一维度上延伸；以及第一切口图案，其包括第一多个切口，第一多个切口设置在第一多个导电结构中的导电结构之间，其中第一多个切口在与第一维度正交的第二维度上延伸。附图说明图1是半导体装置中的导电结构的图示。图2是根据本公开的实施例的包括半导体装置的半导体系统的示意图，所述半导体装置包括接口芯片和多个核心芯片。图3是根据本公开的实施例的半导体装置中的导电结构的图示。图4A是图1中所展示的导电结构的图示。图4B是图3中所展示的导电结构的图示。图5是根据本公开的实施例的用于半导体装置的一部分的布线层的布线图。图6是图5中所展示的用于半导体装置的所述部分的两个布线层的布线图。图7是根据本公开的实施例的用于半导体装置的另一部分的布线层的布线图图8是图7中所展示的用于半导体装置的所述部分的两个布线层的布线图。具体实施方式以下对某些实施例的描述在本质上仅是示范性的，并且决不旨在限制本公开的范围或其应用或使用。在以下对本系统和方法的实施例的详细描述中，参考了构成本文一部分的附图，并通过图示的方式展示了可以实施所述系统和方法的具体实施例。对这些实施例的描述足够细致，进而使本领域中的技术人员可以实践本文公开的系统和方法，应当理解，可以利用其它的实施例并且可以在不脱离本公开的精神和范围的前提下做出结构上和逻辑上的改变。此外，为了清楚起见，当某些特征对于本领域技术人员是显而易见的时，将不讨论它们的详细描述，以免混淆本公开的实施例的描述。因此，下面的详细描述不应被认为是限制性的，并且本公开的范围仅由所附权利要求限定。导电结构可以用于各种半导体装置，例如控制器和存储器。一些导电结构可以用于耦合两个或多个组件。例如，运算放大器可以通过导电结构(例如导线)耦合到电源。为了耦合组件，在一些应用中，导电结构可以在装置上延伸一段距离。典型地，装置包括大量在装置上延伸不同距离的导电结构。在一些装置中，可以有多层导电结构(例如金属化层、布线层)，其中的一些可以通过一或多个通孔彼此耦合。可以将一层中的导电结构紧密地放置在一起以节省空间。然而，当导电结构之间的空间减小时，导电结构无意地彼此接触并引起短路的风险增加。长度长的导电结构也可能增加短路的风险。在一些应用中，导电结构的长度被限制以降低短路的风险。例如，不允许导电结构超过最大长度。因此，代替沿着装置的方向延伸的单个导电结构，可以存在沿着在导电结构之间具有间隔或间断的方向延伸的几个导电结构。当观察导电结构的布局时，这些有限的长度可能在导电结构中产生“切口”或“断裂”的外观。在本文中使用的术语“切口”或“切口图案”可以不指字面意义上地将导电结构切割成多个导电结构。相反，切口可以指导电结构之间的间隔或间断，切口图案可以指导电结构中的切口的布置，而不管这些间隔或间断是如何形成的。例如，如果通过镶嵌工艺制造装置，则导电结构可以设置在介电材料中设置的沟槽中。在这个实例中，切口可以包括分隔导电结构的介电材料的沟槽壁。在另一个实例中，可以在衬底上沉积导电材料以形成导电结构，并且切口可以包括导电结构之间的间隔，其中导电材料被去除或者没有导电材料沉积在衬底上。这些仅是两个说明性实例，并且导电结构可通过其它工艺形成而不脱离本公开的范围。图1是半导体装置100中的导电结构中的切口的实例的图示。半导体装置100可以包括在Z维度上彼此偏移的两个布线层，其中每个布线层包括导电结构。一个布线层103可以包括沿Y维度的切口102，这限制了布线层中的导电结构的长度。另一个布线层105可以包括沿X维度的切口104，这限制了布线层中的导电结构的长度。X维度、Y维度和Z维度在坐标系101中展示。在图1中，Z维度延伸进和延伸出页面。X、Y和Z维度彼此正交。坐标系101可以以任何方式定向。框108提供了布线层103在切口102附近的放大视图。如框108所示，布线层103可以包括沿X维度延伸的导电结构110。导电结构110在切口102附近是不连续的。切口102可以垂直于导电结构110的长度延伸(例如，切口102在Y维度上延伸)。框106提供了切口104附近的不同布线层的放大视图。布线层105可以包括在Y维度上延伸的导电结构112。在图1中所展示的实例中，导电结构112垂直于110中的导电结构延伸。类似于导电结构110，导电结构112在切口104周围是不连续的。切口104可以垂直于导电结构112的长度延伸(例如，切口104在X维度上延伸)。为了提供跨越切口102、104的连接，导电结构110、112可以例如通过通孔耦合到另一布线层中的导电结构112、110。虽然导电结构中的切口，例如图1中的实例所展示的那些，可以降低短路的风险，但是切口也可以限制穿过一层内和多层之间的导电结构的可用路径和/或连接点(例如，可以耦合两个或多个导电结构的位置)。这些有限的路径可能导致导电结构中阻抗的增加。本公开涉及导电结构的布局，与现有布局相比，其可以提供更多数量的可用路线和/或连接点。与现有布局中的导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，其包含：/n第一多个导电结构，其在第一维度上延伸，其中所述第一多个导电结构布置在多个行中；以及/n第一多个切口，其在与所述第一维度正交的第二维度上延伸，其中所述第一多个切口中的每一个设置在所述多个行中的至少一个行中，并且其中所述第一多个切口中的每一个在所述第一维度上彼此偏移第一距离。/n

【技术特征摘要】
20191002 US 16/590,5711.一种设备，其包含：
第一多个导电结构，其在第一维度上延伸，其中所述第一多个导电结构布置在多个行中；以及
第一多个切口，其在与所述第一维度正交的第二维度上延伸，其中所述第一多个切口中的每一个设置在所述多个行中的至少一个行中，并且其中所述第一多个切口中的每一个在所述第一维度上彼此偏移第一距离。


2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：
第二多个导电结构，其在所述第二维度上延伸，其中所述第二多个导电结构布置在多个列中；以及
第二多个切口，其在所述第一维度上延伸，其中所述第二多个切口中的每一个设置在所述多个列中的至少一个列中，并且其中所述第二多个切口中的每一个在所述第二维度上彼此偏移第二距离，使得所述第二多个切口的图案与所述第一多个切口的图案正交。


3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一距离延伸所述第二多个导电结构的数个导电结构，并且所述第二距离延伸所述第一多个导电结构的数个导电结构。


4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二多个导电结构的导电结构的所述数量等于所述第一多个导电结构的导电结构的所述数量。


5.根据权利要求2所述的设备，其中设置有所述第一多个切口中的每一个的行的数量等于设置有所述第二多个切口中的每一个的列的数量。


6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第一多个导电结构和所述第二多个导电结构包含电源线，并且行的所述数量和列的所述数量至少部分地基于电源的数量。


7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一多个导电结构和所述第一多个切口设置在布线层中，并且所述设备进一步包含第二布线层，所述第二布线层平行于所述第一布线层并且在第三维度上从所述第一布线层偏移，其中所述第二布线层包括在所述第二维度上延伸的第二多个导电结构。


8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一多个导电结构中的至少一些耦合到所述第二多个导电结构中的至少一些。


9.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一布线层是通过镶嵌工艺形成。


10.一种设备，其包含：
第一布线层，其包含：
第一多个导电结构，其在第一维度上延伸；以及
第一切口图案，其包括第一多个切口，所述第一多个切口设置在所述第一多个导电结构中的导电结构之间，其中所述第一多个切口在与所述第一维度正交的第二维度上延伸；以及
第二布线层，其平行于所述第一布线层并且在第三维度上从所述第一布线层偏移，所述第二布线层包含：
第二多个导电结构，其在所述第二维度上延伸；以及
第二切口图案，其包括第二多个切口，所述第二多个切口与所述第一切口图案的第一多个切口正交，其中所述第二多个切口设置在所述第二多个导电结构中的导电结构之间，其中所述第二多个切口在所述第一维度上延伸。


11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一多个导电结构中的至少一些通过多个通孔耦合到所述第二多个导电结构中的至少一些，其中所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本博一，铃木亮太，国府田充树，佐藤诚，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US