【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种数控稳压器。目前，公知使用的数控稳压器大多采用数-模转换器，因而其稳压范围和稳压精度受到一定的限制，同时现有的稳压器对于电网电压过高或过低没有设置保护装置。本技术的目的在于克服现有技术的上述缺陷，提供一种稳压范围宽、稳压精度高且在电网电压过高或过低时能保护电器的数控稳压器。本技术包括自耦变压器、可控硅序列、逻辑比较电路、EPROM和光耦合驱动器。自耦变压器连接在进线两端，可控硅序列连接在自耦变压器上，逻辑比较电路连接EPROM的地址线，EPROM的数据线与光耦合驱动器连接，光耦合驱动器控制可控硅序列。逻辑比较电路包括一稳定直流电压、负载电阻与若干个二极管串联构成的基准电路，设在进线上的取样变压器与整流、滤波电路构成的取样电路和运算放大器序列，取样电路和基准电路分别连接运算放大器正负极。本技术通过上述的具体设置，具有供电连续、反应速度快、稳压范围宽、稳压精度高的优点。同时，在电网电压过高或过低时还具有停止供电保护电器的优点。以下结合附图及实施例进一步阐明本技术的具体内容。附图是本技术的电原理图。如图所示，本实施例包括自耦变压器B、可控硅序列BCR...
【技术保护点】
一种数控稳压器，包括自耦变压器、可控硅序列、光耦合驱动器，其特征是：还包括逻辑比较电路和ＥＰＲＯＭ，自耦变压器（Ｂ）连接在进线两端，可控硅序列（ＢＣＲ）连接在自耦变压器（Ｂ）上，逻辑比较电路连接ＥＰＲＯＭ的地址线（Ａ０－９），ＥＰＲＯＭ的数据线（ＤＯ０－７）与光耦合驱动器（ＬＣ↓［０－７］）连接，光耦合驱动器（ＬＣ↓［０－７］）控制可控硅序列（ＢＣＲ），逻辑比较电路包括一稳定直流电压（Ｖ↓［ＤＤ］）、负载电阻（Ｒ）与若干个二极管（Ｄ↓［０－９］）串联构成的基准电路，设在进线上的取样变压器（Ｂ１）与整流、滤波电路构成的取样电路和运算放大器序列（ＬＣ↓［１０－１９］），取样电路...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
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