双向可控硅新型调控器制造技术

一种双向可控硅新型调控器装置，由调控电路，消滞后电路、脉冲形成门控电路连结组成。其前端调控电路由光电二极Ｄ↓［１］和光敏电阻ＭＧ与限流电阻Ｒ↓［１］串连组成；其后级调控电路由Ｗ与Ｒ↓［４］串连组成，并联后经抗干扰电容Ｃ↓［１］滤波经接点③、④输入至消滞后电路中的ＰＮＰ型三极管ＢＧ↓［１］和ＮＰＮ型三极管ＢＧ↓［２］的基极，经消滞后处理的调控信号加至电容Ｃ↓［２］移相，当电容Ｃ↓［２］上移相电压充至双向触发二极管ＢＤ导通门限后，在电阻Ｒ↓［２］两端形成触发控制脉冲电压，用以控制双向可控硅的导通角，以达调节控制之目的。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种双向可控硅调节控制电路装置。目前，如岑贤鸿、袁光明在《实用双向硅应用500例》中所述，已有多种双向可控硅调节控制电路装置。但在实用中，其接口电路输出线性差，至使可控硅输出负载特性差，性价比低，总之其电路结构上还存在着不同方面、不同程度的不足之处。本技术目的是提供一种结构简单、使用接口方便灵活、线性良好、输出负载特性好，性价比较高的双向可控硅新型调节控制器件装置。它可方便的实现双向可控硅摇控、手控信号的接口输入及器件集成化、模块化技术。本技术目的是这样实现的本设计由调控电路，消滞后电路、脉冲形成门控电路组成，在调控电路中，其前端调控电路由光电二极管D1和光敏电阻MG及限流电阻R1串连组成；其后级调控电路由电位器W，电阻R4串连组成，两调控电路并联后经抗干扰电容G1滤波、经光敏电阻MG、三级管BG1、BG2、电位器W、电容C1的公共接点③和电阻R4、R1、双向硅BG3阳极、压敏电阻Ry、电容C4、负载RL的公共接点④，输入至消滞后电路中的PNP型和NPN型三极管BG1、BG2的基极，经消滞后处理。经消滞后电路处理的调控信号经电容C2移相、又经双向触发管DB门限控制后在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双向可控硅新型调控器电路装置，由调控电路、消滞后电路、脉冲形成门控电路连结组成；其特征是：由发光二极管Ｄ↓［１］，光敏电阻ＭＧ和限流电阻Ｒ↓［１］串连所组成的光偶隔离前端调控电路与电位器Ｗ和限流电阻Ｒ↓［４］串连所组成的后级调控电路相并联，经抗干扰电容Ｃ↓［１］滤波后，将调控信号送至接点③、④输入消滞后电路中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨继良，
申请(专利权)人：杨继良，
类型：实用新型
国别省市：85[中国|重庆]