一种半导体清洗剂及其制备方法技术

本申请公开了一种半导体清洗剂及其制备方法，属于半导体清洗技术领域。该半导体清洗剂包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂及有机溶剂，按质量份数计，非离子表面活性剂2‑5份，阴离子表面活性剂9‑12份、有机溶剂3‑6份。通过半导体清洗剂制备方法制备的半导体清洗剂对硅片表面的研磨剂、金属离子等具有极佳的分散性能和容忍度，清洗表面均匀光洁，极好的满足了客户的生产需求，同时降低了对环境的污染。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体清洗剂及其制备方法
本申请涉及一种半导体清洗剂及其制备方法，属于半导体清洗

技术介绍
在硅晶体管和集成电路生产中，几乎每道工序都有硅片清洗的问题，硅片的好坏对器件性能有很严重的影响，处理不当，可能使硅片全部报废，做不出合格的产品，或者制造出来的产品性能低劣，稳定性和可靠性很差。硅材料经过一系列的加工后形成的硅片的表面会形成砂粒、切削磨料、指纹及金属离子，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染物，使硅片表面达到无腐蚀氧化、无残留等技术指标。在现有的硅晶片清洗液中，会选择盐酸、强碱液、或含有磷酸盐类的表面活性剂作为清洗剂，但是盐酸具有腐蚀性，不能去除颗粒物和有机成分，强碱液清洗剂整体去除效果不理想，具有磷酸盐类表面活性剂的清洗剂虽然清洗效果好，但是对环境不友好，易造成水源富营养化、水污染等问题。因此，随着人们环保意识的日益提高，硅晶片清洗剂的无磷化必将成为日后的发展趋势，可以降低企业的污水处理难度，保护环境。
技术实现思路
为了解决上述问题，提供了一种半导体清洗剂及其制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体清洗剂，其特征在于，包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂及有机溶剂，按质量份数计，所述非离子表面活性剂2-5份，阴离子表面活性剂9-12份、有机溶剂3-6份。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗剂，其特征在于，包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂及有机溶剂，按质量份数计，所述非离子表面活性剂2-5份，阴离子表面活性剂9-12份、有机溶剂3-6份。


2.根据权利要求1所述的半导体清洗剂，其特征在于，还包括络合剂和PH调节剂，按质量份数计，络合剂1-8份，PH调节剂将所述清洗剂PH值调节至10-13.5。


3.根据权利要求2所述的半导体清洗剂，其特征在于，非离子表面活性剂3-4份，阴离子表面活性剂9-11份、有机溶剂4-5份，络合剂3-6份。


4.根据权利要求1所述的半导体清洗剂，其特征在于，所述阴离子表面活性剂选自羧酸盐类、磺酸盐类及硫酸盐类表面活性剂中的一种或多种。


5.根据权利要求2所述的半导体清洗剂，其特征在于，所述非离子表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、聚醚类表面活性剂中的一种或多种。


6.根据权利要求5所述的半导体清洗剂，其特征在于，所述有机溶剂选自二醇衍生物、酮类、醇类、酰胺类中的一种或多种；
所述络合剂选自乙二胺四乙酸二钠、氨三乙酸三...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆祖文，
申请(专利权)人：德锡化学山东有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37