一种半导体清洗剂及其制备方法技术

本申请公开了一种半导体清洗剂及其制备方法，属于半导体清洗技术领域。该半导体清洗剂包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂及有机溶剂，按质量份数计，非离子表面活性剂2‑5份，阴离子表面活性剂9‑12份、有机溶剂3‑6份。通过半导体清洗剂制备方法制备的半导体清洗剂对硅片表面的研磨剂、金属离子等具有极佳的分散性能和容忍度，清洗表面均匀光洁，极好的满足了客户的生产需求，同时降低了对环境的污染。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体清洗剂及其制备方法
本申请涉及一种半导体清洗剂及其制备方法，属于半导体清洗

技术介绍
在硅晶体管和集成电路生产中，几乎每道工序都有硅片清洗的问题，硅片的好坏对器件性能有很严重的影响，处理不当，可能使硅片全部报废，做不出合格的产品，或者制造出来的产品性能低劣，稳定性和可靠性很差。硅材料经过一系列的加工后形成的硅片的表面会形成砂粒、切削磨料、指纹及金属离子，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染物，使硅片表面达到无腐蚀氧化、无残留等技术指标。在现有的硅晶片清洗液中，会选择盐酸、强碱液、或含有磷酸盐类的表面活性剂作为清洗剂，但是盐酸具有腐蚀性，不能去除颗粒物和有机成分，强碱液清洗剂整体去除效果不理想，具有磷酸盐类表面活性剂的清洗剂虽然清洗效果好，但是对环境不友好，易造成水源富营养化、水污染等问题。因此，随着人们环保意识的日益提高，硅晶片清洗剂的无磷化必将成为日后的发展趋势，可以降低企业的污水处理难度，保护环境。
技术实现思路
为了解决上述问题，提供了一种半导体清洗剂及其制备方法，通过该方法制备的半导体清洗剂对硅片表面的研磨剂、金属离子等具有极佳的分散性能和容忍度，清洗表面均匀光洁，极好的满足了客户的生产需求，同时降低了对环境的污染。根据本申请的一个方面，提供了一种半导体清洗剂，包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂及有机溶剂，按质量份数计，所述非离子表面活性剂2-5份，阴离子表面活性剂9-12份、有机溶剂3-6份。优选地，还包括络合剂和PH调节剂，按质量份数计，络合剂1-8份，PH调节剂将所述清洗剂PH值调节至10-13.5。优选地，非离子表面活性剂3-4份，阴离子表面活性剂9-11份、有机溶剂4-5.5份，络合剂3-6份。优选地，所述阴离子表面活性剂选自羧酸盐类、磺酸盐类及硫酸盐类表面活性剂中的一种或多种。进一步地，羧酸盐类包括DOWD-518聚羧酸盐、辛烯基琥珀酸酐；磺酸盐类包括十二烷基苯磺酸乙醇胺、十二烷基苯磺酸二乙醇胺、十二烷基苯磺酸三乙醇胺、二甲苯磺酸钠、琥珀酸二己酯单磺酸钠、琥珀酸二戊酯单磺酸钠、科莱恩SAS-60仲烷基磺酸钠、DOWC10L烷基二苯醚磺酸盐；硫酸盐类包括异构十醇聚氧乙烯醚硫酸钠、异构十三醇聚氧乙烯醚硫酸钠、萘酚聚氧乙烯醚硫酸钠、辛基酚聚氧乙烯醚硫酸钠、DOWAS-801聚氧乙烯醚硫酸钠。优选地，所述非离子表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、聚醚类表面活性剂中的一种或多种。进一步地，脂肪醇聚氧乙烯醚包括异构十醇聚氧乙烯醚、异构十醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、异构十三醇聚氧乙烯醚、异构十三醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、月桂醇聚氧乙烯醚、月桂醇聚氧乙烯醚聚氧丙烯醚、丁醇聚氧乙烯醚聚氧丙烯醚；烷基酚聚氧乙烯醚包括癸基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯聚氧丙烯醚、壬基酚聚氧乙烯聚氧丙烯醚、癸基酚聚氧乙烯聚氧丙烯醚、β-萘酚聚氧乙烯醚、双酚A-聚氧乙烯醚；非离子表面活性剂还包括DOWEH-9异构醇聚氧乙烯醚、AKZOEthylan1005异构醇聚氧乙烯醚、DOWTWN-100X支链仲醇聚氧乙烯醚、DOWL-61EO/PO共聚物、AKZOEthomeenO/12LC油基聚氧乙烯醚。优选地，所述有机溶剂选自二醇衍生物、酮类、醇类、酰胺类中的一种或多种；醇类包括：甲醇、乙醇、2-甲基-2,4戊二醇、1-丙醇、2-丙醇、1-己醇、1-壬醇、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、二甘醇单乙醚、二甘醇单乙醚、二甘醇单丁醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单乙醚中选择的至少一种化合物，丙二醇单丁醚，二丙二醇单甲醚，二丙二醇单乙醚，二丙二醇单丁醚，二甘醇二甲醚，二丙二醇二甲醚；酮类包括N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮；酰胺类包括甲酰胺，一甲基甲酰胺，二甲基甲酰胺，一乙基甲酰胺，二乙基甲酰胺，乙酰胺，一甲基乙酰胺；所述络合剂选自乙二胺四乙酸二钠、氨三乙酸三钠、酒石酸钾钠、柠檬酸钠、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甘氨酸中的一种或多种。根据本申请的另一方面，提供了一种前述的半导体清洗剂的制备方法，包括以下步骤：S1、第一混合液的制备：称取非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂及有机溶剂，向反应釜内加入有机溶剂，向有机溶剂内加入非离子表面活性剂，进行第一次混合搅拌，然后再向反应釜内加入阴离子型表面活性剂，进行第二次混合搅拌，获得第一混合液；S2、第二混合液的制备：将PH调节剂、络合剂及去离子水进行混合溶解，获得第二混合液；S3、向第二混合液中加入第一混合液，进行充分搅拌混合，获得所述半导体清洗剂。半导体清洗剂的PH值为10-13.5。半导体清洗剂的PH值为11-13。优选地，在步骤S1中，还包括加入去离子水，在步骤S2中去离子水为步骤S1中去离子水的3-9倍。本申请的有益效果包括但不限于：1.根据本申请的半导体清洗剂，具有对硅晶片表面的研磨剂、金属离子等具有极佳的分散性能和容忍度，清洗表面均匀光洁，无任何花斑、砂粒、研磨料、金属离子及指纹等残留，通过滤纸擦拭，无任何硅粉等物质残留，极好的满足了客户的生产需求，同时降低了对环境的污染。2.根据本申请的半导体清洗剂，其有机溶剂、非离子表面活性剂及阴离子表面活性剂通过合理的配比，使得半导体清洗剂具有优异的分散、渗透和乳化效果，能快速浸入油污与硅晶片，达到快速剥离的效果和油污乳化效果，能很好的乳化硅晶片表面的颗粒物和有机物，不伤底材，并且低泡易降解。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1为本申请实施例1制备的1#清洗剂清洗的硅晶片表面前后对比图；图2为本申请实施例2制备的2#清洗剂清洗的硅晶片表面前后对比图；图3为本申请实施例3制备的3#清洗剂清洗的硅晶片表面前后对比图；具体实施方式下面结合实施例详述本申请，但本申请并不局限于这些实施例。如无特别说明，本申请的实施例中的原料和催化剂均通过商业途径购买。实施例1S1、配置第一混合液：其成分和用量如下：有机溶剂：二乙二醇丁醚1.5g2-甲基-2,4戊二醇2.5g非离子表面活性剂：DOWEH-9异构醇聚氧乙烯醚2.5g辛基酚聚氧乙烯聚氧丙烯醚0.5g阴离子表面活性剂：十二烷基苯磺酸乙醇胺4.5g琥珀酸二己酯单磺酸钠2g二甲苯磺酸钠3g配制工艺：往反应釜中加入去离子水100克，缓慢加入二乙二醇丁醚1.5克，搅拌分散溶解；然后缓慢加入2-甲基-2,4戊二醇2.5克，搅拌分散溶解；然后缓慢加入DOWEH-9异构醇聚氧乙烯醚2.5克，充分反应，分散溶解至均匀透明液体；然后缓慢加入辛基酚聚氧乙烯聚氧丙烯醚0.5克，充分反应，分散本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体清洗剂，其特征在于，包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂及有机溶剂，按质量份数计，所述非离子表面活性剂2-5份，阴离子表面活性剂9-12份、有机溶剂3-6份。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗剂，其特征在于，包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂及有机溶剂，按质量份数计，所述非离子表面活性剂2-5份，阴离子表面活性剂9-12份、有机溶剂3-6份。


2.根据权利要求1所述的半导体清洗剂，其特征在于，还包括络合剂和PH调节剂，按质量份数计，络合剂1-8份，PH调节剂将所述清洗剂PH值调节至10-13.5。


3.根据权利要求2所述的半导体清洗剂，其特征在于，非离子表面活性剂3-4份，阴离子表面活性剂9-11份、有机溶剂4-5份，络合剂3-6份。


4.根据权利要求1所述的半导体清洗剂，其特征在于，所述阴离子表面活性剂选自羧酸盐类、磺酸盐类及硫酸盐类表面活性剂中的一种或多种。


5.根据权利要求2所述的半导体清洗剂，其特征在于，所述非离子表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、聚醚类表面活性剂中的一种或多种。


6.根据权利要求5所述的半导体清洗剂，其特征在于，所述有机溶剂选自二醇衍生物、酮类、醇类、酰胺类中的一种或多种；
所述络合剂选自乙二胺四乙酸二钠、氨三乙酸三...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆祖文，
申请(专利权)人：德锡化学山东有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37