偏压供应器、启动电路以及偏压电路的启动方法技术

一种偏压供应器、启动电路以及偏压电路的启动方法。偏压供应器包括偏压电路、阻抗单元、储能单元与开关。阻抗单元耦接于第一电压与接点之间。储能单元耦接于接点与第二电压之间。开关依据接点的电压决定是否输出启动电压给偏压电路。也就是说，本发明专利技术利用储能单元的充放电特性，控制开关是否输出启动电压给偏压电路，因此能减少启动电路的耗电量。

Bias supply device, starting circuit, and startup method of bias circuit

Bias supply device, starting circuit, and startup method of bias circuit. The bias supply includes a bias circuit, an impedance cell, an energy storage unit, and a switch. The impedance unit is coupled between the first voltage and the contact point. The energy storage unit is coupled between the contact point and the second voltage. The switch determines whether to output the starting voltage according to the voltage of the contact to the bias circuit. That is to say, the invention uses the charging and discharging characteristics of the energy storage unit to control whether the switch outputs the starting voltage to the bias circuit, thereby reducing the power consumption of the starting circuit.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于 一 种偏压供应器，且特别是有关 于一种偏压供应器的启动技术。
技术介绍
在模拟电路中，常常会利用电流镜(Current Mirror)作为偏压电路。这类偏压电路需要启动电路， 用来使偏压电路能正常工作。图1绘示为已知偏压供应器(Bias Supply)的电 路图。请参照图1 ，偏压供应器1 0可分为两部分， 分别为偏压电路2 0以及启动(Start-up)电路3 0 。 偏压电路2 0包括电流镜4 0 、 4 1与电阻1 3 0 。 电流镜4 0由N型金属氧化半导体晶体管l 1 0与1 1 1所构成，晶体管1 1 0的漏极与栅极互相耦接， 且晶体管1 1 0与1 1 1的尺寸比(或可称作沟道的长宽比)不相同。电阻l30用以提供一压差，以使电流镜4 0能够产生电流。电流镜4 1则由P型金属氧化半导体晶体管1 2 0 、1 2 1所构成，晶体管12 1的漏极与栅极互相耦接。启动电路3 0则由P型 金属氧化半导体晶体管1 3 0 、 N型金属氧化半导体晶 体管1 3 1 、1 3 2与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏压供应器，其特征在于，包括：　一偏压电路，耦接于一第一电压与一第二电压之间；　一启动电路，包括：　一阻抗单元，耦接于该第一电压与一接点之间；　一储能单元，耦接于该接点与该第二电压之间；以及　一开关，依据该接点的电压决定是否输出一启动电压给该偏压电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈力辅，李智顺，
申请(专利权)人：硕颉科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]