【技术实现步骤摘要】
炉管清洗方法
本专利技术涉及半导体制造领域,特别是涉及一种炉管清洗方法。
技术介绍
干式清洗技术已经广泛应用炉管清洗中,但是专利技术人发现使用氟气和氮气的混合气体清洗炉管之后,炉管作业的第一炉产品会出现膜厚偏薄的现象,因此,传统工艺中进行炉管干式保养清洗后都需要进行测机,这影响了炉管的利用率。
技术实现思路
基于此,有必要针对上述问题,提供一种新的炉管清洗方法。一种炉管清洗方法,包括:向炉管内通入氟气和氮气的混合气体进行清洁;所述清洁后向炉管内通入氮气进行清扫;所述清扫后向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫。在其中一个实施例中,向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫的步骤中,一氧化氮气体从所述炉管底部的进气口通入所述炉管内部。在其中一个实施例中,向炉管内通入氟气和氮气的混合气体进行清洁的步骤中,氟气和氮气的混合气体中氟气和氮气的比值大于等于0.1且小于等于0.5,优选为0.35。在其中一个实施例中,所述炉管清洗方法应用于氮化硅沉积后的炉管清洗。在其中一 ...
【技术保护点】
1.一种炉管清洗方法,包括:/n向炉管内通入氟气和氮气的混合气体进行清洁;/n所述清洁后向炉管内通入氮气进行清扫;/n所述清扫后向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫。/n
【技术特征摘要】
1.一种炉管清洗方法,包括:
向炉管内通入氟气和氮气的混合气体进行清洁;
所述清洁后向炉管内通入氮气进行清扫;
所述清扫后向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述向炉管内通入一氧化氮气体进行清扫的步骤中,一氧化氮气体从所述炉管底部的进气口通入所述炉管内部。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述向炉管内通入氟气和氮气的混合气体进行清洁的步骤中,氟气和氮气的混合气体中氟气和氮气的比值大于等于0.1且小于等于0.5。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法应用于氮化硅沉积后的炉管清洗。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述向炉管内通入氮气进行清扫前还包括步骤:将所述炉管升温到第一温度,所述第一温度大于等于450摄氏度且小于等于1000摄氏度...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄启铭,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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