半导体装置的形成方法制造方法及图纸

半导体装置的形成方法，包括提供结构，其包括基板、第一鳍状物与第二鳍状物、接合第一鳍状物的第一栅极结构、与接合第二鳍状物的第二栅极结构；沉积介电层于第一栅极结构与第二栅极结构上；蚀刻介电层，以形成第一栅极接点开口露出第一栅极结构，并形成第二栅极接点开口露出第二栅极结构，其中第一栅极接点开口的第一长度大于第二栅极接点开口的第二长度；以及将导电材料填入第一栅极接点开口与第二栅极接点开口，形成第一栅极接点以接合第一栅极结构，并形成第二栅极接点以接合第二栅极结构。构。构。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法


[0001]本专利技术实施例一般关于半导体装置，更特别关于存储器装置如静态随机存取存储器单元的n型场效晶体管区与p型场效晶体管区所用的不同栅极接点。

技术介绍

[0002]半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位经片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小通常有利于增加产能与降低相关成本。尺寸缩小亦会增加处理与制造集成电路的复杂度。
[0003]在一些集成电路设计中，随着技术节点缩小，先进方法是将多晶硅栅极置换为金属栅极，以改善结构尺寸缩小的装置效能。形成金属栅极的工艺之一，可称作置换栅极或栅极后制工艺，其最后制作金属栅极以减少后续工艺的数目。在栅极后制工艺中，依序沉积多种金属层如功函数金属层与金属填充层于栅极沟槽中，以取代原本栅极沟槽中的虚置栅极。然而实施这些集成电路制作的工艺面临挑战，特别是在先进工艺节点中尺寸缩小的集成电路结构。挑战之一为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：提供一结构，其包括具有一第一区与一第二区的一基板、该基板上的一隔离结构、自该基板的该第一区延伸穿过该隔离结构的一第一鳍状物、自该基板的该第二区延伸穿过该隔离结构的一第二鳍状物、接合该第一鳍状物的一第一栅极结构、与接合该第二鳍状物的一第二栅极结构；沉积一介电层于该第一栅极结构与该第二栅极结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈稚轩，陈瑞麟，林祐宽，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：