半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本文公开短通道、水平栅极全环(GAA)纳米结构(如：纳米片、纳米线等)晶体管、半导体装置的制造方法及以GAA晶体管形成的装置。根据一些方法，形成的GAA晶体管具有防止APT掺杂扩散到通道区域中的保护带、浅层源极/漏极深度、及/或基板中的井及APT布植后的装置通道区域外延生长。借此，形成的GAA晶体管用于减轻可能在制造栅极全环(GAA)晶体管期间由抗接面击穿(APT)掺杂扩散引起的议题，如底部片临界电压(Vt)偏移、接面漏电、APT掺杂物向外扩散、井邻近效应、及APT布植污染。不过，GAA晶体管及制造方法可被以各种更广泛的方式运用，且可被整合到各式各样的装置及技术中。到各式各样的装置及技术中。到各式各样的装置及技术中。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及半导体装置及其制造方法，且特别涉及包含具有栅极全环(GAA)晶体管结构的晶体管的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体装置被用于各式各样的电子应用，例如个人电脑、移动电话、数码相机、以及其他电子设备。半导体装置通常是通过在半导体基板上沉积一系列的绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料，以及使用微影(lithography)图案化各种材料层以在其上形成电路组件与元件来形成的。
[0003]半导体工业通过持续地降低最小特征的尺寸来不停地改善各种电子组件(例如：晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许在给定的面积中整合更多的组件。然而，随着最小特征尺寸的降低，随之而来的是需要克服的额外问题。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：在一半导体基板上沉积第一材料的第一薄层；在第一材料的第一薄层上沉积第二材料的第二薄层；在第二材料的第二薄层上沉积第一材料的第三薄层，第一材料的第一薄层的厚度大于第一材料的第三薄层的厚度；在第一材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在一半导体基板上沉积一第一材料的一第一薄层；在上述第一材料的上述第一薄层上沉积一第二材料的一第二薄层；在上述第二材料的上述第二薄层上沉积上述第一材料的一第三薄层，上述第一材料的上述第一薄层的厚度大于上述第一材料的上述第三薄层的厚度；在上述第一材料的上述第三薄层上沉积上述第二材料的一第四薄层；自上述第二材料的上述第二薄层与上述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：