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本文公开短通道、水平栅极全环(GAA)纳米结构(如：纳米片、纳米线等)晶体管、半导体装置的制造方法及以GAA晶体管形成的装置。根据一些方法，形成的GAA晶体管具有防止APT掺杂扩散到通道区域中的保护带、浅层源极/漏极深度、及/或基板中的井及...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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